LIGHT EMITTING DIODE

Research output: Patent

一種發光二極體，由下而上依序包括ㄧ基板、ㄧ緩衝層、ㄧn型層、ㄧ多重量子井層、ㄧn型摻雜層、ㄧp型層、ㄧ透明導電層及ㄧ電極，其中電極成長於透明導電層及n型層之上。

Liu, W-C. (1800). LIGHT EMITTING DIODE. (Patent No. I437730).

@misc{9b3f5bd296a24331876740ccf4b06afd,

title = "LIGHT EMITTING DIODE",

abstract = "一種發光二極體，由下而上依序包括ㄧ基板、ㄧ緩衝層、ㄧn型層、ㄧ多重量子井層、ㄧn型摻雜層、ㄧp型層、ㄧ透明導電層及ㄧ電極，其中電極成長於透明導電層及n型層之上。",

author = "Wen-Chau Liu",

year = "1800",

language = "English",

type = "Patent",

note = "I437730",

}

TY - PAT

T1 - LIGHT EMITTING DIODE

AU - Liu, Wen-Chau

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 一種發光二極體，由下而上依序包括ㄧ基板、ㄧ緩衝層、ㄧn型層、ㄧ多重量子井層、ㄧn型摻雜層、ㄧp型層、ㄧ透明導電層及ㄧ電極，其中電極成長於透明導電層及n型層之上。

AB - 一種發光二極體，由下而上依序包括ㄧ基板、ㄧ緩衝層、ㄧn型層、ㄧ多重量子井層、ㄧn型摻雜層、ㄧp型層、ㄧ透明導電層及ㄧ電極，其中電極成長於透明導電層及n型層之上。

M3 - Patent

M1 - I437730

ER -