Light Emitting Diode and Method for Fabricating The Same

Yon-Hua Tzeng (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

本發明係有關於一種發光二極體,包括:一發光單元,係為一具有PN接面之半導體晶片;以及一散熱膜層,係包括一緩衝層、一第一附著層、一第一鑽石金屬層以及一保護層,且該緩衝層、該第一附著層、該第一鑽石金屬層以及該保護層依序層疊設置於該發光單元上。
Original languageEnglish
Patent numberI552379
Publication statusPublished - 2014 Jan 1

Cite this

@misc{591b75181e404947a509a1127fdc6e72,
title = "Light Emitting Diode and Method for Fabricating The Same",
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author = "Yon-Hua Tzeng",
year = "2014",
month = "1",
day = "1",
language = "English",
type = "Patent",
note = "I552379",

}

TY - PAT

T1 - Light Emitting Diode and Method for Fabricating The Same

AU - Tzeng, Yon-Hua

PY - 2014/1/1

Y1 - 2014/1/1

N2 - 本發明係有關於一種發光二極體,包括:一發光單元,係為一具有PN接面之半導體晶片;以及一散熱膜層,係包括一緩衝層、一第一附著層、一第一鑽石金屬層以及一保護層,且該緩衝層、該第一附著層、該第一鑽石金屬層以及該保護層依序層疊設置於該發光單元上。

AB - 本發明係有關於一種發光二極體,包括:一發光單元,係為一具有PN接面之半導體晶片;以及一散熱膜層,係包括一緩衝層、一第一附著層、一第一鑽石金屬層以及一保護層,且該緩衝層、該第一附著層、該第一鑽石金屬層以及該保護層依序層疊設置於該發光單元上。

M3 - Patent

M1 - I552379

ER -