Light Emitting Diode and Method for Fabricating The Same

Yon-Hua Tzeng (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

本發明係有關於一種發光二極體,包括:一發光單元,係為一具有PN接面之半導體晶片;以及一散熱膜層,係包括一緩衝層、一第一附著層、一第一鑽石金屬層以及一保護層,且該緩衝層、該第一附著層、該第一鑽石金屬層以及該保護層依序層疊設置於該發光單元上。
Original languageEnglish
Patent numberI552379
Publication statusPublished - 2014 Jan 1

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