Abstract
提供一種半導體奈米材料及其製造方法，此半導體奈米材料係藉由將至少一種金屬元素與至少一種受摻雜元素混合加熱進行固溶化處理(Solid-Solubilizing treatment)以形成固溶體(Solid Solution)，再以此固溶體作為蒸鍍源進行蒸鍍製程，與原料或反應物經由氣相傳輸沉積於基材上而成，其中固溶化處理的溫度高於這些金屬元素與受摻雜元素中至少一者的熔點。
| Translated title of the contribution | 摻雜有金屬元素之半導體奈米材料及其製造方法 |
|---|---|
| Original language | English |
| Patent number | I319447 |
| Publication status | Published - 1800 |
Cite this
Huang, J-L., & Liu, C-P. (1800). METAL DOPED SEMICONDUCTOR NANOMATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME. (Patent No. I319447).