METAL DOPED SEMICONDUCTOR NANOMATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Jow-Lay Huang (Inventor), Chuan-Pu Liu (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

提供一種半導體奈米材料及其製造方法,此半導體奈米材料係藉由將至少一種金屬元素與至少一種受摻雜元素混合加熱進行固溶化處理(Solid-Solubilizing treatment)以形成固溶體(Solid Solution),再以此固溶體作為蒸鍍源進行蒸鍍製程,與原料或反應物經由氣相傳輸沉積於基材上而成,其中固溶化處理的溫度高於這些金屬元素與受摻雜元素中至少一者的熔點。
Original languageEnglish
Patent numberI319447
Publication statusPublished - 1800

Cite this

@misc{eab1ea93c1f84da08113545f7fe6d059,
title = "METAL DOPED SEMICONDUCTOR NANOMATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME",
abstract = "提供一種半導體奈米材料及其製造方法,此半導體奈米材料係藉由將至少一種金屬元素與至少一種受摻雜元素混合加熱進行固溶化處理(Solid-Solubilizing treatment)以形成固溶體(Solid Solution),再以此固溶體作為蒸鍍源進行蒸鍍製程,與原料或反應物經由氣相傳輸沉積於基材上而成,其中固溶化處理的溫度高於這些金屬元素與受摻雜元素中至少一者的熔點。",
author = "Jow-Lay Huang and Chuan-Pu Liu",
year = "1800",
language = "English",
type = "Patent",
note = "I319447",

}

TY - PAT

T1 - METAL DOPED SEMICONDUCTOR NANOMATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

AU - Huang, Jow-Lay

AU - Liu, Chuan-Pu

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 提供一種半導體奈米材料及其製造方法,此半導體奈米材料係藉由將至少一種金屬元素與至少一種受摻雜元素混合加熱進行固溶化處理(Solid-Solubilizing treatment)以形成固溶體(Solid Solution),再以此固溶體作為蒸鍍源進行蒸鍍製程,與原料或反應物經由氣相傳輸沉積於基材上而成,其中固溶化處理的溫度高於這些金屬元素與受摻雜元素中至少一者的熔點。

AB - 提供一種半導體奈米材料及其製造方法,此半導體奈米材料係藉由將至少一種金屬元素與至少一種受摻雜元素混合加熱進行固溶化處理(Solid-Solubilizing treatment)以形成固溶體(Solid Solution),再以此固溶體作為蒸鍍源進行蒸鍍製程,與原料或反應物經由氣相傳輸沉積於基材上而成,其中固溶化處理的溫度高於這些金屬元素與受摻雜元素中至少一者的熔點。

M3 - Patent

M1 - I319447

ER -