METHOD FOR FORMING POLYSILICON FILM AND POLYSILICON FILM THEREOF

Jen-Fin Lin (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

一種形成多晶矽薄膜的方法包括以下步驟:於一基板上形成一第一非晶矽薄膜;於第一非晶矽薄膜上形成一金屬薄膜;於金屬薄膜上形成一第二非晶矽薄膜;以及以一溫度持溫一時間,使得第一非晶矽薄膜、金屬薄膜及第二非晶矽薄膜轉變成一多晶矽薄膜。本發明所形成之多晶矽薄膜具有較高的載子移動率及較低的載子濃度。
Translated title of the contribution形成多晶矽薄膜的方法及其形成的多晶矽薄膜
Original languageEnglish
Patent numberI490922
Publication statusPublished - 2012 Dec 1

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