Method for forming silicon film having microcrystal structure

Ching-Ting Lee (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

提供一種具有微晶結構之矽薄膜的形成方法,包括以下步驟。提供電漿增強化學氣相沉積系統,包括反應腔室、上電極與下電極。上電極與下電極係相對且設置在反應腔室中。將基板設置在下電極上方。將矽甲烷氣體通入反應腔室中。二氧化碳雷射照射反應腔室中的矽甲烷氣體,並同時進行電漿增強化學氣相沉積步驟以於基板上形成具有微晶結構之矽薄膜。
Original languageEnglish
Patent numberI428466
Publication statusPublished - 1800

Cite this

Lee, C-T. (1800). Method for forming silicon film having microcrystal structure. (Patent No. I428466).
Lee, Ching-Ting (Inventor). / Method for forming silicon film having microcrystal structure. Patent No.: I428466.
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Method for forming silicon film having microcrystal structure. / Lee, Ching-Ting (Inventor).

Patent No.: I428466.

Research output: Patent

TY - PAT

T1 - Method for forming silicon film having microcrystal structure

AU - Lee, Ching-Ting

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 提供一種具有微晶結構之矽薄膜的形成方法,包括以下步驟。提供電漿增強化學氣相沉積系統,包括反應腔室、上電極與下電極。上電極與下電極係相對且設置在反應腔室中。將基板設置在下電極上方。將矽甲烷氣體通入反應腔室中。二氧化碳雷射照射反應腔室中的矽甲烷氣體,並同時進行電漿增強化學氣相沉積步驟以於基板上形成具有微晶結構之矽薄膜。

AB - 提供一種具有微晶結構之矽薄膜的形成方法,包括以下步驟。提供電漿增強化學氣相沉積系統,包括反應腔室、上電極與下電極。上電極與下電極係相對且設置在反應腔室中。將基板設置在下電極上方。將矽甲烷氣體通入反應腔室中。二氧化碳雷射照射反應腔室中的矽甲烷氣體,並同時進行電漿增強化學氣相沉積步驟以於基板上形成具有微晶結構之矽薄膜。

M3 - Patent

M1 - I428466

ER -