Abstract
提供一種具有微晶結構之矽薄膜的形成方法，包括以下步驟。提供電漿增強化學氣相沉積系統，包括反應腔室、上電極與下電極。上電極與下電極係相對且設置在反應腔室中。將基板設置在下電極上方。將矽甲烷氣體通入反應腔室中。二氧化碳雷射照射反應腔室中的矽甲烷氣體，並同時進行電漿增強化學氣相沉積步驟以於基板上形成具有微晶結構之矽薄膜。
| Translated title of the contribution | 具有微晶結構之矽薄膜的形成方法 |
|---|---|
| Original language | English |
| Patent number | I428466 |
| Publication status | Published - 1800 |