Method for manufacturing nanowires with micro- structure

Shui-Jinn Wang (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

本發明係有關於一種奈米線之製作方法,係包括下列步驟:(A) 提供一基板;(B) 形成一晶種層於基板上,且晶種層具有一第一側壁;(C) 形成一電極層於晶種層上,其中電極層係具有一第二側壁且完全覆蓋晶種層;(D) 將基板置於一第一成長溶液中,並於靜置下形成複數奈米線,且奈米線係延伸自晶種層之第一側壁;以及(E) 將基板置於一第二成長溶液中,並於擾動下繼續成長奈米線,以於奈米線之端部形成複數針尖。
Original languageEnglish
Patent numberI448418
Publication statusPublished - 1800

Cite this

@misc{5aa43bf61b344764a6afafce34fd520a,
title = "Method for manufacturing nanowires with micro- structure",
abstract = "本發明係有關於一種奈米線之製作方法,係包括下列步驟:(A) 提供一基板;(B) 形成一晶種層於基板上,且晶種層具有一第一側壁;(C) 形成一電極層於晶種層上,其中電極層係具有一第二側壁且完全覆蓋晶種層;(D) 將基板置於一第一成長溶液中,並於靜置下形成複數奈米線,且奈米線係延伸自晶種層之第一側壁;以及(E) 將基板置於一第二成長溶液中,並於擾動下繼續成長奈米線,以於奈米線之端部形成複數針尖。",
author = "Shui-Jinn Wang",
year = "1800",
language = "English",
type = "Patent",
note = "I448418",

}

TY - PAT

T1 - Method for manufacturing nanowires with micro- structure

AU - Wang, Shui-Jinn

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 本發明係有關於一種奈米線之製作方法,係包括下列步驟:(A) 提供一基板;(B) 形成一晶種層於基板上,且晶種層具有一第一側壁;(C) 形成一電極層於晶種層上,其中電極層係具有一第二側壁且完全覆蓋晶種層;(D) 將基板置於一第一成長溶液中,並於靜置下形成複數奈米線,且奈米線係延伸自晶種層之第一側壁;以及(E) 將基板置於一第二成長溶液中,並於擾動下繼續成長奈米線,以於奈米線之端部形成複數針尖。

AB - 本發明係有關於一種奈米線之製作方法,係包括下列步驟:(A) 提供一基板;(B) 形成一晶種層於基板上,且晶種層具有一第一側壁;(C) 形成一電極層於晶種層上,其中電極層係具有一第二側壁且完全覆蓋晶種層;(D) 將基板置於一第一成長溶液中,並於靜置下形成複數奈米線,且奈米線係延伸自晶種層之第一側壁;以及(E) 將基板置於一第二成長溶液中,並於擾動下繼續成長奈米線,以於奈米線之端部形成複數針尖。

M3 - Patent

M1 - I448418

ER -