Abstract
本發明係有關於一種奈米線之製作方法，係包括下列步驟：(A) 提供一基板；(B) 形成一晶種層於基板上，且晶種層具有一第一側壁；(C) 形成一電極層於晶種層上，其中電極層係具有一第二側壁且完全覆蓋晶種層；(D) 將基板置於一第一成長溶液中，並於靜置下形成複數奈米線，且奈米線係延伸自晶種層之第一側壁；以及(E) 將基板置於一第二成長溶液中，並於擾動下繼續成長奈米線，以於奈米線之端部形成複數針尖。
| Translated title of the contribution | 尖端具有微結構之奈米線之製作方法 |
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| Original language | English |
| Patent number | I448418 |
| Publication status | Published - 1800 |