Abstract
本發明係有關於一種奈米線之製作方法，係包括下列步驟：(A) 提供一基板；(B) 形成一晶種層於基板上，且晶種層具有一第一側壁；(C) 形成一電極層於晶種層上，其中電極層係具有一第二側壁且完全覆蓋晶種層；(D) 將基板置於一第一成長溶液中，並於靜置下形成複數奈米線，且奈米線係延伸自晶種層之第一側壁；以及(E) 將基板置於一第二成長溶液中，並於擾動下繼續成長奈米線，以於奈米線之端部形成複數針尖。
| Original language | English |
|---|---|
| Patent number | I448418 |
| Publication status | Published - 1800 |
Cite this
Wang, S-J. (1800). Method for manufacturing nanowires with micro- structure. (Patent No. I448418).
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title = "Method for manufacturing nanowires with micro- structure",
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author = "Shui-Jinn Wang",
year = "1800",
language = "English",
type = "Patent",
note = "I448418",
}
Wang, S-J 1800, Method for manufacturing nanowires with micro- structure, Patent No. I448418.
Method for manufacturing nanowires with micro- structure. / Wang, Shui-Jinn (Inventor).
Patent No.: I448418.Research output: Patent
TY - PAT
T1 - Method for manufacturing nanowires with micro- structure
AU - Wang, Shui-Jinn
PY - 1800
Y1 - 1800
N2 - 本發明係有關於一種奈米線之製作方法，係包括下列步驟：(A) 提供一基板；(B) 形成一晶種層於基板上，且晶種層具有一第一側壁；(C) 形成一電極層於晶種層上，其中電極層係具有一第二側壁且完全覆蓋晶種層；(D) 將基板置於一第一成長溶液中，並於靜置下形成複數奈米線，且奈米線係延伸自晶種層之第一側壁；以及(E) 將基板置於一第二成長溶液中，並於擾動下繼續成長奈米線，以於奈米線之端部形成複數針尖。
AB - 本發明係有關於一種奈米線之製作方法，係包括下列步驟：(A) 提供一基板；(B) 形成一晶種層於基板上，且晶種層具有一第一側壁；(C) 形成一電極層於晶種層上，其中電極層係具有一第二側壁且完全覆蓋晶種層；(D) 將基板置於一第一成長溶液中，並於靜置下形成複數奈米線，且奈米線係延伸自晶種層之第一側壁；以及(E) 將基板置於一第二成長溶液中，並於擾動下繼續成長奈米線，以於奈米線之端部形成複數針尖。
M3 - Patent
M1 - I448418
ER -
Wang S-J, inventor. Method for manufacturing nanowires with micro- structure. I448418. 1800.