Method for manufacturing zno nano-structure

Chuan-Pu Liu (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

一種氧化鋅(ZnO)奈米結構之製造方法。在此方法中,先提供一基板。接下來,可選擇性地於基板表面上成長氧化鋅緩衝層。接著,形成一氧化鋅鎂(MgZnO)成核穩定層(Nucleation Stabilization Layer)於此基板上之氧化鋅緩衝層上。隨後,成長一氧化鋅奈米柱狀結構層於氧化鋅鎂成核穩定層之一表面上。當僅形成氧化鋅緩衝層與氧化鋅鎂成核穩定層之其中一者時,後續所形成之氧化鋅奈米結構層係一氧化鋅奈米牆狀結構層。
Original languageEnglish
Patent numberI269779
Publication statusPublished - 1800

Cite this

@misc{f115184fe8d642319afe587ae6b56311,
title = "Method for manufacturing zno nano-structure",
abstract = "一種氧化鋅(ZnO)奈米結構之製造方法。在此方法中,先提供一基板。接下來,可選擇性地於基板表面上成長氧化鋅緩衝層。接著,形成一氧化鋅鎂(MgZnO)成核穩定層(Nucleation Stabilization Layer)於此基板上之氧化鋅緩衝層上。隨後,成長一氧化鋅奈米柱狀結構層於氧化鋅鎂成核穩定層之一表面上。當僅形成氧化鋅緩衝層與氧化鋅鎂成核穩定層之其中一者時,後續所形成之氧化鋅奈米結構層係一氧化鋅奈米牆狀結構層。",
author = "Chuan-Pu Liu",
year = "1800",
language = "English",
type = "Patent",
note = "I269779",

}

Method for manufacturing zno nano-structure. / Liu, Chuan-Pu (Inventor).

Patent No.: I269779.

Research output: Patent

TY - PAT

T1 - Method for manufacturing zno nano-structure

AU - Liu, Chuan-Pu

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 一種氧化鋅(ZnO)奈米結構之製造方法。在此方法中,先提供一基板。接下來,可選擇性地於基板表面上成長氧化鋅緩衝層。接著,形成一氧化鋅鎂(MgZnO)成核穩定層(Nucleation Stabilization Layer)於此基板上之氧化鋅緩衝層上。隨後,成長一氧化鋅奈米柱狀結構層於氧化鋅鎂成核穩定層之一表面上。當僅形成氧化鋅緩衝層與氧化鋅鎂成核穩定層之其中一者時,後續所形成之氧化鋅奈米結構層係一氧化鋅奈米牆狀結構層。

AB - 一種氧化鋅(ZnO)奈米結構之製造方法。在此方法中,先提供一基板。接下來,可選擇性地於基板表面上成長氧化鋅緩衝層。接著,形成一氧化鋅鎂(MgZnO)成核穩定層(Nucleation Stabilization Layer)於此基板上之氧化鋅緩衝層上。隨後,成長一氧化鋅奈米柱狀結構層於氧化鋅鎂成核穩定層之一表面上。當僅形成氧化鋅緩衝層與氧化鋅鎂成核穩定層之其中一者時,後續所形成之氧化鋅奈米結構層係一氧化鋅奈米牆狀結構層。

M3 - Patent

M1 - I269779

ER -