Abstract
一種光固化式微奈米圖案之接觸轉印方法。此方法包含下列步驟。提供模仁，其中模仁之表面包含圖案結構，且此圖案結構包含至少一凸出部與至少一凹陷部。形成轉印材料層至少位於凸出部上。提供基板，其中此基板之表面設有感光型固化材料層。將凸出部上之轉印材料層壓合在感光型固化材料層上。對感光型固化材料層進行照射步驟，以固化感光型固化材料層，而將凸出部上之轉印材料層固定在感光型固化材料層中。移除模仁。以轉印材料層作為遮罩，對感光型固化材料層進行圖案化步驟，直至暴露出基板之表面的一部分。
| Original language | English |
|---|---|
| Patent number | I412891 |
| Publication status | Published - 1800 |
Cite this
Lee, Y-C. (1800). Method for photo-curing contact printing micro/nano patterns. (Patent No. I412891).
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title = "Method for photo-curing contact printing micro/nano patterns",
abstract = "一種光固化式微奈米圖案之接觸轉印方法。此方法包含下列步驟。提供模仁，其中模仁之表面包含圖案結構，且此圖案結構包含至少一凸出部與至少一凹陷部。形成轉印材料層至少位於凸出部上。提供基板，其中此基板之表面設有感光型固化材料層。將凸出部上之轉印材料層壓合在感光型固化材料層上。對感光型固化材料層進行照射步驟，以固化感光型固化材料層，而將凸出部上之轉印材料層固定在感光型固化材料層中。移除模仁。以轉印材料層作為遮罩，對感光型固化材料層進行圖案化步驟，直至暴露出基板之表面的一部分。",
author = "Yung-Chun Lee",
year = "1800",
language = "English",
type = "Patent",
note = "I412891",
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Lee, Y-C 1800, Method for photo-curing contact printing micro/nano patterns, Patent No. I412891.
Method for photo-curing contact printing micro/nano patterns. / Lee, Yung-Chun (Inventor).
Patent No.: I412891.Research output: Patent
TY - PAT
T1 - Method for photo-curing contact printing micro/nano patterns
AU - Lee, Yung-Chun
PY - 1800
Y1 - 1800
N2 - 一種光固化式微奈米圖案之接觸轉印方法。此方法包含下列步驟。提供模仁，其中模仁之表面包含圖案結構，且此圖案結構包含至少一凸出部與至少一凹陷部。形成轉印材料層至少位於凸出部上。提供基板，其中此基板之表面設有感光型固化材料層。將凸出部上之轉印材料層壓合在感光型固化材料層上。對感光型固化材料層進行照射步驟，以固化感光型固化材料層，而將凸出部上之轉印材料層固定在感光型固化材料層中。移除模仁。以轉印材料層作為遮罩，對感光型固化材料層進行圖案化步驟，直至暴露出基板之表面的一部分。
AB - 一種光固化式微奈米圖案之接觸轉印方法。此方法包含下列步驟。提供模仁，其中模仁之表面包含圖案結構，且此圖案結構包含至少一凸出部與至少一凹陷部。形成轉印材料層至少位於凸出部上。提供基板，其中此基板之表面設有感光型固化材料層。將凸出部上之轉印材料層壓合在感光型固化材料層上。對感光型固化材料層進行照射步驟，以固化感光型固化材料層，而將凸出部上之轉印材料層固定在感光型固化材料層中。移除模仁。以轉印材料層作為遮罩，對感光型固化材料層進行圖案化步驟，直至暴露出基板之表面的一部分。
M3 - Patent
M1 - I412891
ER -
Lee Y-C, inventor. Method for photo-curing contact printing micro/nano patterns. I412891. 1800.