Method for photo-curing contact printing micro/nano patterns

Yung-Chun Lee (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

一種光固化式微奈米圖案之接觸轉印方法。此方法包含下列步驟。提供模仁,其中模仁之表面包含圖案結構,且此圖案結構包含至少一凸出部與至少一凹陷部。形成轉印材料層至少位於凸出部上。提供基板,其中此基板之表面設有感光型固化材料層。將凸出部上之轉印材料層壓合在感光型固化材料層上。對感光型固化材料層進行照射步驟,以固化感光型固化材料層,而將凸出部上之轉印材料層固定在感光型固化材料層中。移除模仁。以轉印材料層作為遮罩,對感光型固化材料層進行圖案化步驟,直至暴露出基板之表面的一部分。
Original languageEnglish
Patent numberI412891
Publication statusPublished - 1800

Cite this

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author = "Yung-Chun Lee",
year = "1800",
language = "English",
type = "Patent",
note = "I412891",

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TY - PAT

T1 - Method for photo-curing contact printing micro/nano patterns

AU - Lee, Yung-Chun

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 一種光固化式微奈米圖案之接觸轉印方法。此方法包含下列步驟。提供模仁,其中模仁之表面包含圖案結構,且此圖案結構包含至少一凸出部與至少一凹陷部。形成轉印材料層至少位於凸出部上。提供基板,其中此基板之表面設有感光型固化材料層。將凸出部上之轉印材料層壓合在感光型固化材料層上。對感光型固化材料層進行照射步驟,以固化感光型固化材料層,而將凸出部上之轉印材料層固定在感光型固化材料層中。移除模仁。以轉印材料層作為遮罩,對感光型固化材料層進行圖案化步驟,直至暴露出基板之表面的一部分。

AB - 一種光固化式微奈米圖案之接觸轉印方法。此方法包含下列步驟。提供模仁,其中模仁之表面包含圖案結構,且此圖案結構包含至少一凸出部與至少一凹陷部。形成轉印材料層至少位於凸出部上。提供基板,其中此基板之表面設有感光型固化材料層。將凸出部上之轉印材料層壓合在感光型固化材料層上。對感光型固化材料層進行照射步驟,以固化感光型固化材料層,而將凸出部上之轉印材料層固定在感光型固化材料層中。移除模仁。以轉印材料層作為遮罩,對感光型固化材料層進行圖案化步驟,直至暴露出基板之表面的一部分。

M3 - Patent

M1 - I412891

ER -