Abstract
本發明係有關於一種鑽石成長方法，包括： 提供ㄧ混合氣體於ㄧ反應室中，其中該混合氣體包括ㄧ惰性氣體及一含碳氣體；以及於該反應室中形成ㄧ電漿，使該含碳氣體於一表面佈有至少一核種之一基板上反應進行鑽石成長，其中該電漿不與該基板接觸。據此，本發明可成長晶粒尺寸大於20 nm且高表面平整度之多晶鑽石膜。
| Translated title of the contribution | 鑽石成長方法 |
|---|---|
| Original language | English |
| Patent number | I447253 |
| Publication status | Published - 1800 |