METHOD OF DIAMOND GROWTH

Yon-Hua Tzeng (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

本發明係有關於一種鑽石成長方法,包括: 提供ㄧ混合氣體於ㄧ反應室中,其中該混合氣體包括ㄧ惰性氣體及一含碳氣體;以及於該反應室中形成ㄧ電漿,使該含碳氣體於一表面佈有至少一核種之一基板上反應進行鑽石成長,其中該電漿不與該基板接觸。據此,本發明可成長晶粒尺寸大於20 nm且高表面平整度之多晶鑽石膜。
Original languageEnglish
Patent numberI447253
Publication statusPublished - 1800

Cite this

Tzeng, Y-H. (1800). METHOD OF DIAMOND GROWTH. (Patent No. I447253).
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note = "I447253",

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Tzeng, Y-H 1800, METHOD OF DIAMOND GROWTH, Patent No. I447253.

METHOD OF DIAMOND GROWTH. / Tzeng, Yon-Hua (Inventor).

Patent No.: I447253.

Research output: Patent

TY - PAT

T1 - METHOD OF DIAMOND GROWTH

AU - Tzeng, Yon-Hua

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 本發明係有關於一種鑽石成長方法,包括: 提供ㄧ混合氣體於ㄧ反應室中,其中該混合氣體包括ㄧ惰性氣體及一含碳氣體;以及於該反應室中形成ㄧ電漿,使該含碳氣體於一表面佈有至少一核種之一基板上反應進行鑽石成長,其中該電漿不與該基板接觸。據此,本發明可成長晶粒尺寸大於20 nm且高表面平整度之多晶鑽石膜。

AB - 本發明係有關於一種鑽石成長方法,包括: 提供ㄧ混合氣體於ㄧ反應室中,其中該混合氣體包括ㄧ惰性氣體及一含碳氣體;以及於該反應室中形成ㄧ電漿,使該含碳氣體於一表面佈有至少一核種之一基板上反應進行鑽石成長,其中該電漿不與該基板接觸。據此,本發明可成長晶粒尺寸大於20 nm且高表面平整度之多晶鑽石膜。

M3 - Patent

M1 - I447253

ER -

Tzeng Y-H, inventor. METHOD OF DIAMOND GROWTH. I447253. 1800.