Abstract
本發明係有關於一種鑽石成核方法，包括：提供ㄧ混合氣體於ㄧ反應室中，其中該混合氣體包括ㄧ惰性氣體及一含碳氣體；以及於該反應室中形成ㄧ電漿，並於未外加偏壓之條件下，使該含碳氣體於一未種晶之基板上反應形成複數個核種，其中該電漿不與該基板接觸。據此，本發明可直接於非鑽石基板上成核，以利後續之鑽石成長。
| Translated title of the contribution | 鑽石成核方法 |
|---|---|
| Original language | English |
| Patent number | I415965 |
| Publication status | Published - 1800 |