METHOD OF DIAMOND NUCLEATION

Yon-Hua Tzeng (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

本發明係有關於一種鑽石成核方法,包括:提供ㄧ混合氣體於ㄧ反應室中,其中該混合氣體包括ㄧ惰性氣體及一含碳氣體;以及於該反應室中形成ㄧ電漿,並於未外加偏壓之條件下,使該含碳氣體於一未種晶之基板上反應形成複數個核種,其中該電漿不與該基板接觸。據此,本發明可直接於非鑽石基板上成核,以利後續之鑽石成長。
Original languageEnglish
Patent numberI415965
Publication statusPublished - 1800

Cite this

Tzeng, Y-H. (1800). METHOD OF DIAMOND NUCLEATION. (Patent No. I415965).
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Tzeng, Y-H 1800, METHOD OF DIAMOND NUCLEATION, Patent No. I415965.

METHOD OF DIAMOND NUCLEATION. / Tzeng, Yon-Hua (Inventor).

Patent No.: I415965.

Research output: Patent

TY - PAT

T1 - METHOD OF DIAMOND NUCLEATION

AU - Tzeng, Yon-Hua

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 本發明係有關於一種鑽石成核方法,包括:提供ㄧ混合氣體於ㄧ反應室中,其中該混合氣體包括ㄧ惰性氣體及一含碳氣體;以及於該反應室中形成ㄧ電漿,並於未外加偏壓之條件下,使該含碳氣體於一未種晶之基板上反應形成複數個核種,其中該電漿不與該基板接觸。據此,本發明可直接於非鑽石基板上成核,以利後續之鑽石成長。

AB - 本發明係有關於一種鑽石成核方法,包括:提供ㄧ混合氣體於ㄧ反應室中,其中該混合氣體包括ㄧ惰性氣體及一含碳氣體;以及於該反應室中形成ㄧ電漿,並於未外加偏壓之條件下,使該含碳氣體於一未種晶之基板上反應形成複數個核種,其中該電漿不與該基板接觸。據此,本發明可直接於非鑽石基板上成核,以利後續之鑽石成長。

M3 - Patent

M1 - I415965

ER -

Tzeng Y-H, inventor. METHOD OF DIAMOND NUCLEATION. I415965. 1800.