METHOD OF DIAMOND NUCLEATION

Yon-Hua Tzeng (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

本發明係有關於一種鑽石成核方法,包括下列步驟:提供一基板並以一化學試劑前處理該基板之一表面,其中該化學試劑係至少一選自由一硫酸鹽、一磷酸鹽、及一過硫酸鹽所組成之群組;提供ㄧ混合氣體於ㄧ反應室中,其中該混合氣體包括一含碳氣體,及更可選擇性包括一惰性氣體、一氫氣或一二氧化碳(例如:氬氣+甲烷、氬氣+氫氣+甲烷、氫氣+甲烷、二氧化碳+甲烷皆可);以及於該反應室中形成ㄧ電漿,並於未外加偏壓之條件下,使該含碳氣體於經前處理之該基板之該表面上反應形成複數個核種。
Original languageEnglish
Patent numberI429779
Publication statusPublished - 1800

Cite this

Tzeng, Y-H. (1800). METHOD OF DIAMOND NUCLEATION. (Patent No. I429779).
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author = "Yon-Hua Tzeng",
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note = "I429779",

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Tzeng, Y-H 1800, METHOD OF DIAMOND NUCLEATION, Patent No. I429779.

METHOD OF DIAMOND NUCLEATION. / Tzeng, Yon-Hua (Inventor).

Patent No.: I429779.

Research output: Patent

TY - PAT

T1 - METHOD OF DIAMOND NUCLEATION

AU - Tzeng, Yon-Hua

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 本發明係有關於一種鑽石成核方法,包括下列步驟:提供一基板並以一化學試劑前處理該基板之一表面,其中該化學試劑係至少一選自由一硫酸鹽、一磷酸鹽、及一過硫酸鹽所組成之群組;提供ㄧ混合氣體於ㄧ反應室中,其中該混合氣體包括一含碳氣體,及更可選擇性包括一惰性氣體、一氫氣或一二氧化碳(例如:氬氣+甲烷、氬氣+氫氣+甲烷、氫氣+甲烷、二氧化碳+甲烷皆可);以及於該反應室中形成ㄧ電漿,並於未外加偏壓之條件下,使該含碳氣體於經前處理之該基板之該表面上反應形成複數個核種。

AB - 本發明係有關於一種鑽石成核方法,包括下列步驟:提供一基板並以一化學試劑前處理該基板之一表面,其中該化學試劑係至少一選自由一硫酸鹽、一磷酸鹽、及一過硫酸鹽所組成之群組;提供ㄧ混合氣體於ㄧ反應室中,其中該混合氣體包括一含碳氣體,及更可選擇性包括一惰性氣體、一氫氣或一二氧化碳(例如:氬氣+甲烷、氬氣+氫氣+甲烷、氫氣+甲烷、二氧化碳+甲烷皆可);以及於該反應室中形成ㄧ電漿,並於未外加偏壓之條件下,使該含碳氣體於經前處理之該基板之該表面上反應形成複數個核種。

M3 - Patent

M1 - I429779

ER -

Tzeng Y-H, inventor. METHOD OF DIAMOND NUCLEATION. I429779. 1800.