Method of Fabricating High-Conductivity Thick-Film Aluminum Paste

Wen-Shi Lee (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

一種高導電率厚膜鋁膏之製造方法,係利用較廣之粒徑分佈與提高固體含量來解決多孔洞之問題,並充分利用表面氧化鋁破裂機制搭配上足夠之玻璃粉抑制裸露之液態金屬鋁接觸空氣而氧化,進一步促使相鄰裸露之液態金屬鋁互相接觸,形成導電通路,徹底改善鋁膏低導電率之問題。
Original languageEnglish
Patent numberI591653
Publication statusPublished - 1800

Cite this

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type = "Patent",
note = "I591653",

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TY - PAT

T1 - Method of Fabricating High-Conductivity Thick-Film Aluminum Paste

AU - Lee, Wen-Shi

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 一種高導電率厚膜鋁膏之製造方法,係利用較廣之粒徑分佈與提高固體含量來解決多孔洞之問題,並充分利用表面氧化鋁破裂機制搭配上足夠之玻璃粉抑制裸露之液態金屬鋁接觸空氣而氧化,進一步促使相鄰裸露之液態金屬鋁互相接觸,形成導電通路,徹底改善鋁膏低導電率之問題。

AB - 一種高導電率厚膜鋁膏之製造方法,係利用較廣之粒徑分佈與提高固體含量來解決多孔洞之問題,並充分利用表面氧化鋁破裂機制搭配上足夠之玻璃粉抑制裸露之液態金屬鋁接觸空氣而氧化,進一步促使相鄰裸露之液態金屬鋁互相接觸,形成導電通路,徹底改善鋁膏低導電率之問題。

M3 - Patent

M1 - I591653

ER -