method of fabricating thin film transistor and top-gate type thin film transistor

Chie Gau (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

本發明係有關於一種薄膜電晶體之製備方法及頂閘極式薄膜電晶體,本發明之薄膜電晶體之製備方法包括步驟:(A)提供一基板﹔(B) 於該基板表面形成一源極電極、一汲極電極、以及一單壁奈米碳管層,該源極電極與該汲極電極係相隔一距離配置,且該單壁奈米碳管層係配置於該源極電極與該汲極電極之間﹔(C)於該單壁奈米碳管層之表面形成一閘極氧化層﹔(D)以氧氣或氮氣回火處理該閘極氧化層之表面﹔以及(E)形成一閘極於該閘極氧化層之表面﹔其中,該步驟(D)中,以氧氣或氮氣回火處理該閘極氧化層之溫度係為500°C至600°C。
Original languageEnglish
Patent numberI479547
Publication statusPublished - 1800

Cite this

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title = "method of fabricating thin film transistor and top-gate type thin film transistor",
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author = "Chie Gau",
year = "1800",
language = "English",
type = "Patent",
note = "I479547",

}

method of fabricating thin film transistor and top-gate type thin film transistor. / Gau, Chie (Inventor).

Patent No.: I479547.

Research output: Patent

TY - PAT

T1 - method of fabricating thin film transistor and top-gate type thin film transistor

AU - Gau, Chie

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 本發明係有關於一種薄膜電晶體之製備方法及頂閘極式薄膜電晶體,本發明之薄膜電晶體之製備方法包括步驟:(A)提供一基板﹔(B) 於該基板表面形成一源極電極、一汲極電極、以及一單壁奈米碳管層,該源極電極與該汲極電極係相隔一距離配置,且該單壁奈米碳管層係配置於該源極電極與該汲極電極之間﹔(C)於該單壁奈米碳管層之表面形成一閘極氧化層﹔(D)以氧氣或氮氣回火處理該閘極氧化層之表面﹔以及(E)形成一閘極於該閘極氧化層之表面﹔其中,該步驟(D)中,以氧氣或氮氣回火處理該閘極氧化層之溫度係為500°C至600°C。

AB - 本發明係有關於一種薄膜電晶體之製備方法及頂閘極式薄膜電晶體,本發明之薄膜電晶體之製備方法包括步驟:(A)提供一基板﹔(B) 於該基板表面形成一源極電極、一汲極電極、以及一單壁奈米碳管層,該源極電極與該汲極電極係相隔一距離配置,且該單壁奈米碳管層係配置於該源極電極與該汲極電極之間﹔(C)於該單壁奈米碳管層之表面形成一閘極氧化層﹔(D)以氧氣或氮氣回火處理該閘極氧化層之表面﹔以及(E)形成一閘極於該閘極氧化層之表面﹔其中,該步驟(D)中,以氧氣或氮氣回火處理該閘極氧化層之溫度係為500°C至600°C。

M3 - Patent

M1 - I479547

ER -