Abstract
本發明係關於一種奈米線之製造方法，尤指一種適用於製作具有高度選擇性之水平式奈米線，其係用於尖端對尖端或尖端對板極結構之場發射元件。本發明提供一種奈米線之製造方法，係包括下列步驟：(A) 提供一基板；(B) 形成一第一晶種層於此基板上，且此第一晶種層具有一第一側壁；(C) 形成一第一電極於此第一晶種層上，其中此第一電極係具有一第二側壁且完全覆蓋此第一晶種層；
| Translated title of the contribution | 奈米線之製造方法及使用其製作之場發射元件 |
|---|---|
| Original language | English |
| Patent number | I431662 |
| Publication status | Published - 1800 |