Method of manufacturing nanowires and the field emission device using the same

Shui-Jinn Wang (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

本發明係關於一種奈米線之製造方法,尤指一種適用於製作具有高度選擇性之水平式奈米線,其係用於尖端對尖端或尖端對板極結構之場發射元件。本發明提供一種奈米線之製造方法,係包括下列步驟:(A) 提供一基板;(B) 形成一第一晶種層於此基板上,且此第一晶種層具有一第一側壁;(C) 形成一第一電極於此第一晶種層上,其中此第一電極係具有一第二側壁且完全覆蓋此第一晶種層;
Original languageEnglish
Patent numberI431662
Publication statusPublished - 1800

Cite this

@misc{fa98c90f42b44cea97d08412a16e90aa,
title = "Method of manufacturing nanowires and the field emission device using the same",
abstract = "本發明係關於一種奈米線之製造方法,尤指一種適用於製作具有高度選擇性之水平式奈米線,其係用於尖端對尖端或尖端對板極結構之場發射元件。本發明提供一種奈米線之製造方法,係包括下列步驟:(A) 提供一基板;(B) 形成一第一晶種層於此基板上,且此第一晶種層具有一第一側壁;(C) 形成一第一電極於此第一晶種層上,其中此第一電極係具有一第二側壁且完全覆蓋此第一晶種層;",
author = "Shui-Jinn Wang",
year = "1800",
language = "English",
type = "Patent",
note = "I431662",

}

TY - PAT

T1 - Method of manufacturing nanowires and the field emission device using the same

AU - Wang, Shui-Jinn

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 本發明係關於一種奈米線之製造方法,尤指一種適用於製作具有高度選擇性之水平式奈米線,其係用於尖端對尖端或尖端對板極結構之場發射元件。本發明提供一種奈米線之製造方法,係包括下列步驟:(A) 提供一基板;(B) 形成一第一晶種層於此基板上,且此第一晶種層具有一第一側壁;(C) 形成一第一電極於此第一晶種層上,其中此第一電極係具有一第二側壁且完全覆蓋此第一晶種層;

AB - 本發明係關於一種奈米線之製造方法,尤指一種適用於製作具有高度選擇性之水平式奈米線,其係用於尖端對尖端或尖端對板極結構之場發射元件。本發明提供一種奈米線之製造方法,係包括下列步驟:(A) 提供一基板;(B) 形成一第一晶種層於此基板上,且此第一晶種層具有一第一側壁;(C) 形成一第一電極於此第一晶種層上,其中此第一電極係具有一第二側壁且完全覆蓋此第一晶種層;

M3 - Patent

M1 - I431662

ER -