Method of plasma etching and surface modification for boron-doped diamond

Yon-Hua Tzeng (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

本發明係有關於一種電漿蝕刻及表面處理摻硼鑽石電化學電極之方法,係包括步驟:提供一摻硼鑽石電極層﹔以及以一含氧電漿蝕刻及表面處理該摻硼鑽石電極層之表面,使移除該摻硼鑽石電極層表面之非電化學反應層並使該摻硼鑽石電極層表面之鑽石平均顆粒大小降至50nm-200nm ,每單位面積具電化學反應功能之鑽石顆粒數增加,每顆鑽石可接觸電解液之面積因顆粒之間的非鑽石成份被蝕刻而增大,
Original languageEnglish
Patent numberI437623
Publication statusPublished - 1800

Cite this

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title = "Method of plasma etching and surface modification for boron-doped diamond",
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author = "Yon-Hua Tzeng",
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language = "English",
type = "Patent",
note = "I437623",

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TY - PAT

T1 - Method of plasma etching and surface modification for boron-doped diamond

AU - Tzeng, Yon-Hua

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 本發明係有關於一種電漿蝕刻及表面處理摻硼鑽石電化學電極之方法,係包括步驟:提供一摻硼鑽石電極層﹔以及以一含氧電漿蝕刻及表面處理該摻硼鑽石電極層之表面,使移除該摻硼鑽石電極層表面之非電化學反應層並使該摻硼鑽石電極層表面之鑽石平均顆粒大小降至50nm-200nm ,每單位面積具電化學反應功能之鑽石顆粒數增加,每顆鑽石可接觸電解液之面積因顆粒之間的非鑽石成份被蝕刻而增大,

AB - 本發明係有關於一種電漿蝕刻及表面處理摻硼鑽石電化學電極之方法,係包括步驟:提供一摻硼鑽石電極層﹔以及以一含氧電漿蝕刻及表面處理該摻硼鑽石電極層之表面,使移除該摻硼鑽石電極層表面之非電化學反應層並使該摻硼鑽石電極層表面之鑽石平均顆粒大小降至50nm-200nm ,每單位面積具電化學反應功能之鑽石顆粒數增加,每顆鑽石可接觸電解液之面積因顆粒之間的非鑽石成份被蝕刻而增大,

M3 - Patent

M1 - I437623

ER -