Mold and Method for Epitaxial Growth

Shui-Jinn Wang (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

一種磊晶模具及磊晶方法,該磊晶模具適用於使一種第一結晶材料長晶。該第一結晶材料的單位晶格具有一個第一c軸。該第一c軸具有一個第一晶格常數。該磊晶模具包含一個基板,以及一層磊晶層。該磊晶層以一種第二結晶材料製成。該第二結晶材料的單位晶格具有一個第二c軸。該第二c軸具有一個與該第一晶格常數的差異為0%~0.8%的第二晶格常數。該磊晶層設置在該基板上,且包括一個頂面,以及數個分別由該頂面往下凹入且分別界定出一個磊晶孔的孔面。每一個孔面具有一個與該頂面上下間隔的底面部,以及一個連接於該頂面與該底面部間的圍面部。
Original languageEnglish
Patent numberI602220
Publication statusPublished - 1800

Cite this

Wang, S-J. (1800). Mold and Method for Epitaxial Growth. (Patent No. I602220).
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Mold and Method for Epitaxial Growth. / Wang, Shui-Jinn (Inventor).

Patent No.: I602220.

Research output: Patent

TY - PAT

T1 - Mold and Method for Epitaxial Growth

AU - Wang, Shui-Jinn

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 一種磊晶模具及磊晶方法,該磊晶模具適用於使一種第一結晶材料長晶。該第一結晶材料的單位晶格具有一個第一c軸。該第一c軸具有一個第一晶格常數。該磊晶模具包含一個基板,以及一層磊晶層。該磊晶層以一種第二結晶材料製成。該第二結晶材料的單位晶格具有一個第二c軸。該第二c軸具有一個與該第一晶格常數的差異為0%~0.8%的第二晶格常數。該磊晶層設置在該基板上,且包括一個頂面,以及數個分別由該頂面往下凹入且分別界定出一個磊晶孔的孔面。每一個孔面具有一個與該頂面上下間隔的底面部,以及一個連接於該頂面與該底面部間的圍面部。

AB - 一種磊晶模具及磊晶方法,該磊晶模具適用於使一種第一結晶材料長晶。該第一結晶材料的單位晶格具有一個第一c軸。該第一c軸具有一個第一晶格常數。該磊晶模具包含一個基板,以及一層磊晶層。該磊晶層以一種第二結晶材料製成。該第二結晶材料的單位晶格具有一個第二c軸。該第二c軸具有一個與該第一晶格常數的差異為0%~0.8%的第二晶格常數。該磊晶層設置在該基板上,且包括一個頂面,以及數個分別由該頂面往下凹入且分別界定出一個磊晶孔的孔面。每一個孔面具有一個與該頂面上下間隔的底面部,以及一個連接於該頂面與該底面部間的圍面部。

M3 - Patent

M1 - I602220

ER -