Nanostructure, applied device and preparation method thereof

Chen-Sheng Yeh (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

一種奈米結構,包括奈米粒子、包覆奈米粒子的外殼及具有1.0 nm至6.0 nm寬度的空隙,其中該空隙位於奈米粒子及外殼之間,使該奈米結構具有產生螢光的能力。
Original languageEnglish
Patent numberI511918
Publication statusPublished - 2014 Sep 1

Cite this

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TY - PAT

T1 - Nanostructure, applied device and preparation method thereof

AU - Yeh, Chen-Sheng

PY - 2014/9/1

Y1 - 2014/9/1

N2 - 一種奈米結構,包括奈米粒子、包覆奈米粒子的外殼及具有1.0 nm至6.0 nm寬度的空隙,其中該空隙位於奈米粒子及外殼之間,使該奈米結構具有產生螢光的能力。

AB - 一種奈米結構,包括奈米粒子、包覆奈米粒子的外殼及具有1.0 nm至6.0 nm寬度的空隙,其中該空隙位於奈米粒子及外殼之間,使該奈米結構具有產生螢光的能力。

M3 - Patent

M1 - I511918

ER -