Nitrogen Oxide Sensor and Manufacturing Method Thereof

Huey-Ing Chen (Inventor), Wen-Chau Liu (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

本發明揭示一種氮氧化物感測器及其製造方法,該氮氧化物感測器包含:一磊晶層;一歐姆電極層,成長於該磊晶層上;一蕭特基電極層,成長於該磊晶層上,並鄰接於該歐姆電極層;以及一催化性有機單分子層,包含烷烴雙硫醇分子及催化性金屬,該烷烴雙硫醇分子自組裝排列在該蕭特基電極層上,並具有一頭端結合在該蕭特基電極層,以及一尾端鍵結於該催化性金屬。該氮氧化物感測器對氮氧化物具有高靈敏度及選擇性,並適合於常溫環境下使用,且僅需低溫、低耗能之簡易製程即可進行製作。
Original languageEnglish
Patent numberI475222
Publication statusPublished - 1800

Cite this

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author = "Huey-Ing Chen and Wen-Chau Liu",
year = "1800",
language = "English",
type = "Patent",
note = "I475222",

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Nitrogen Oxide Sensor and Manufacturing Method Thereof. / Chen, Huey-Ing (Inventor); Liu, Wen-Chau (Inventor).

Patent No.: I475222.

Research output: Patent

TY - PAT

T1 - Nitrogen Oxide Sensor and Manufacturing Method Thereof

AU - Chen, Huey-Ing

AU - Liu, Wen-Chau

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 本發明揭示一種氮氧化物感測器及其製造方法,該氮氧化物感測器包含:一磊晶層;一歐姆電極層,成長於該磊晶層上;一蕭特基電極層,成長於該磊晶層上,並鄰接於該歐姆電極層;以及一催化性有機單分子層,包含烷烴雙硫醇分子及催化性金屬,該烷烴雙硫醇分子自組裝排列在該蕭特基電極層上,並具有一頭端結合在該蕭特基電極層,以及一尾端鍵結於該催化性金屬。該氮氧化物感測器對氮氧化物具有高靈敏度及選擇性,並適合於常溫環境下使用,且僅需低溫、低耗能之簡易製程即可進行製作。

AB - 本發明揭示一種氮氧化物感測器及其製造方法,該氮氧化物感測器包含:一磊晶層;一歐姆電極層,成長於該磊晶層上;一蕭特基電極層,成長於該磊晶層上,並鄰接於該歐姆電極層;以及一催化性有機單分子層,包含烷烴雙硫醇分子及催化性金屬,該烷烴雙硫醇分子自組裝排列在該蕭特基電極層上,並具有一頭端結合在該蕭特基電極層,以及一尾端鍵結於該催化性金屬。該氮氧化物感測器對氮氧化物具有高靈敏度及選擇性,並適合於常溫環境下使用,且僅需低溫、低耗能之簡易製程即可進行製作。

M3 - Patent

M1 - I475222

ER -