Nitrogen Oxide Sensor and Manufacturing Method Thereof

Huey-Ing Chen (Inventor), Wen-Chau Liu (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

本發明揭示一種氮氧化物感測器及其製造方法,該氮氧化物感測器包含:一磊晶層;一歐姆電極層,成長於該磊晶層上;一蕭特基電極層,成長於該磊晶層上,並鄰接於該歐姆電極層;以及一催化性有機單分子層,包含烷烴雙硫醇分子及催化性金屬,該烷烴雙硫醇分子自組裝排列在該蕭特基電極層上,並具有一頭端結合在該蕭特基電極層,以及一尾端鍵結於該催化性金屬。該氮氧化物感測器對氮氧化物具有高靈敏度及選擇性,並適合於常溫環境下使用,且僅需低溫、低耗能之簡易製程即可進行製作。
Translated title of the contribution氮氧化物感測器及其製造方法
Original languageEnglish
Patent numberI475222
Publication statusPublished - 1800

Cite this