Abstract
本發明揭示一種氮氧化物感測器及其製造方法，該氮氧化物感測器包含：一磊晶層；一歐姆電極層，成長於該磊晶層上；一蕭特基電極層，成長於該磊晶層上，並鄰接於該歐姆電極層；以及一催化性有機單分子層，包含烷烴雙硫醇分子及催化性金屬，該烷烴雙硫醇分子自組裝排列在該蕭特基電極層上，並具有一頭端結合在該蕭特基電極層，以及一尾端鍵結於該催化性金屬。該氮氧化物感測器對氮氧化物具有高靈敏度及選擇性，並適合於常溫環境下使用，且僅需低溫、低耗能之簡易製程即可進行製作。
| Original language | English |
|---|---|
| Patent number | I475222 |
| Publication status | Published - 1800 |
Cite this
Chen, H-I., & Liu, W-C. (1800). Nitrogen Oxide Sensor and Manufacturing Method Thereof. (Patent No. I475222).
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title = "Nitrogen Oxide Sensor and Manufacturing Method Thereof",
abstract = "本發明揭示一種氮氧化物感測器及其製造方法，該氮氧化物感測器包含：一磊晶層；一歐姆電極層，成長於該磊晶層上；一蕭特基電極層，成長於該磊晶層上，並鄰接於該歐姆電極層；以及一催化性有機單分子層，包含烷烴雙硫醇分子及催化性金屬，該烷烴雙硫醇分子自組裝排列在該蕭特基電極層上，並具有一頭端結合在該蕭特基電極層，以及一尾端鍵結於該催化性金屬。該氮氧化物感測器對氮氧化物具有高靈敏度及選擇性，並適合於常溫環境下使用，且僅需低溫、低耗能之簡易製程即可進行製作。",
author = "Huey-Ing Chen and Wen-Chau Liu",
year = "1800",
language = "English",
type = "Patent",
note = "I475222",
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Chen, H-I & Liu, W-C 1800, Nitrogen Oxide Sensor and Manufacturing Method Thereof, Patent No. I475222.
Nitrogen Oxide Sensor and Manufacturing Method Thereof. / Chen, Huey-Ing (Inventor); Liu, Wen-Chau (Inventor).
Patent No.: I475222.Research output: Patent
TY - PAT
T1 - Nitrogen Oxide Sensor and Manufacturing Method Thereof
AU - Chen, Huey-Ing
AU - Liu, Wen-Chau
PY - 1800
Y1 - 1800
N2 - 本發明揭示一種氮氧化物感測器及其製造方法，該氮氧化物感測器包含：一磊晶層；一歐姆電極層，成長於該磊晶層上；一蕭特基電極層，成長於該磊晶層上，並鄰接於該歐姆電極層；以及一催化性有機單分子層，包含烷烴雙硫醇分子及催化性金屬，該烷烴雙硫醇分子自組裝排列在該蕭特基電極層上，並具有一頭端結合在該蕭特基電極層，以及一尾端鍵結於該催化性金屬。該氮氧化物感測器對氮氧化物具有高靈敏度及選擇性，並適合於常溫環境下使用，且僅需低溫、低耗能之簡易製程即可進行製作。
AB - 本發明揭示一種氮氧化物感測器及其製造方法，該氮氧化物感測器包含：一磊晶層；一歐姆電極層，成長於該磊晶層上；一蕭特基電極層，成長於該磊晶層上，並鄰接於該歐姆電極層；以及一催化性有機單分子層，包含烷烴雙硫醇分子及催化性金屬，該烷烴雙硫醇分子自組裝排列在該蕭特基電極層上，並具有一頭端結合在該蕭特基電極層，以及一尾端鍵結於該催化性金屬。該氮氧化物感測器對氮氧化物具有高靈敏度及選擇性，並適合於常溫環境下使用，且僅需低溫、低耗能之簡易製程即可進行製作。
M3 - Patent
M1 - I475222
ER -
Chen H-I, Liu W-C, inventors. Nitrogen Oxide Sensor and Manufacturing Method Thereof. I475222. 1800.