Organic solar cell and method thereof

Jen-Sue Chen (Inventor), Lien-Chung Hsu (Inventor), Wei-Yang Chou (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

一種有機太陽能電池包括一陽極、一傳輸層、一主動層及一陰極。傳輸層成長於陽極上,並且具有一具有複數凹槽之第一週期結構。主動層成長於傳輸層上,主動層覆蓋於第一週期結構上並填滿第一週期結構上之凹槽,且主動層具有一第二週期結構,第二週期結構包括複數凹槽。陰極成長於主動層上。其中第二週期結構之凹槽深度小於第一週期結構之凹槽深度,並且第一週期結構之每兩相鄰凹槽之中心點之距離約為800奈米至2400奈米。
Original languageEnglish
Patent numberI435487
Publication statusPublished - 1800

Cite this

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title = "Organic solar cell and method thereof",
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author = "Jen-Sue Chen and Lien-Chung Hsu and Wei-Yang Chou",
year = "1800",
language = "English",
type = "Patent",
note = "I435487",

}

TY - PAT

T1 - Organic solar cell and method thereof

AU - Chen, Jen-Sue

AU - Hsu, Lien-Chung

AU - Chou, Wei-Yang

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 一種有機太陽能電池包括一陽極、一傳輸層、一主動層及一陰極。傳輸層成長於陽極上,並且具有一具有複數凹槽之第一週期結構。主動層成長於傳輸層上,主動層覆蓋於第一週期結構上並填滿第一週期結構上之凹槽,且主動層具有一第二週期結構,第二週期結構包括複數凹槽。陰極成長於主動層上。其中第二週期結構之凹槽深度小於第一週期結構之凹槽深度,並且第一週期結構之每兩相鄰凹槽之中心點之距離約為800奈米至2400奈米。

AB - 一種有機太陽能電池包括一陽極、一傳輸層、一主動層及一陰極。傳輸層成長於陽極上,並且具有一具有複數凹槽之第一週期結構。主動層成長於傳輸層上,主動層覆蓋於第一週期結構上並填滿第一週期結構上之凹槽,且主動層具有一第二週期結構,第二週期結構包括複數凹槽。陰極成長於主動層上。其中第二週期結構之凹槽深度小於第一週期結構之凹槽深度,並且第一週期結構之每兩相鄰凹槽之中心點之距離約為800奈米至2400奈米。

M3 - Patent

M1 - I435487

ER -