Photo-switched anodized aluminum oxide film, method of fabricating the same

Yon-Hua Tzeng (Inventor), Hsiang-Chen Chui (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

本發明係有關於一種光轉換之複合材料薄膜,其係包括複數奈米金屬顆粒以及一多孔性陽極氧化鋁薄膜,其中該些複數奈米金屬顆粒係完全位於該多孔性陽極氧化鋁薄膜之孔洞內,且該光轉換之複合材料薄膜係藉由光照於該陽極氧化鋁薄膜之表面而改變該複合材料薄膜之導電度。本發明之光轉換之複合材料薄膜結構簡單,製作方法容易,因此具有非常高之商業利用價值。
Original languageEnglish
Patent numberI406302
Publication statusPublished - 2012 Mar 1

Cite this

@misc{209f3707ee744f41b21a8766f28facf0,
title = "Photo-switched anodized aluminum oxide film, method of fabricating the same",
abstract = "本發明係有關於一種光轉換之複合材料薄膜,其係包括複數奈米金屬顆粒以及一多孔性陽極氧化鋁薄膜,其中該些複數奈米金屬顆粒係完全位於該多孔性陽極氧化鋁薄膜之孔洞內,且該光轉換之複合材料薄膜係藉由光照於該陽極氧化鋁薄膜之表面而改變該複合材料薄膜之導電度。本發明之光轉換之複合材料薄膜結構簡單,製作方法容易,因此具有非常高之商業利用價值。",
author = "Yon-Hua Tzeng and Hsiang-Chen Chui",
year = "2012",
month = "3",
day = "1",
language = "English",
type = "Patent",
note = "I406302",

}

TY - PAT

T1 - Photo-switched anodized aluminum oxide film, method of fabricating the same

AU - Tzeng, Yon-Hua

AU - Chui, Hsiang-Chen

PY - 2012/3/1

Y1 - 2012/3/1

N2 - 本發明係有關於一種光轉換之複合材料薄膜,其係包括複數奈米金屬顆粒以及一多孔性陽極氧化鋁薄膜,其中該些複數奈米金屬顆粒係完全位於該多孔性陽極氧化鋁薄膜之孔洞內,且該光轉換之複合材料薄膜係藉由光照於該陽極氧化鋁薄膜之表面而改變該複合材料薄膜之導電度。本發明之光轉換之複合材料薄膜結構簡單,製作方法容易,因此具有非常高之商業利用價值。

AB - 本發明係有關於一種光轉換之複合材料薄膜,其係包括複數奈米金屬顆粒以及一多孔性陽極氧化鋁薄膜,其中該些複數奈米金屬顆粒係完全位於該多孔性陽極氧化鋁薄膜之孔洞內,且該光轉換之複合材料薄膜係藉由光照於該陽極氧化鋁薄膜之表面而改變該複合材料薄膜之導電度。本發明之光轉換之複合材料薄膜結構簡單,製作方法容易,因此具有非常高之商業利用價值。

M3 - Patent

M1 - I406302

ER -