Abstract
本發明係關於一種光電極及其製備方法,其中前述光電極包含一基板及一二氧化鈦層,且該二氧化鈦層係由一介孔洞二氧化鈦球珠所組成,該球珠之粒徑為200-1000 nm,比表面積為50-100 m2/g,孔隙率為40-60%,孔洞半徑為5-20 nm,孔洞體積則為0.20-0.30 cm3/g,且該球珠中的二氧化鈦為銳鈦礦相。
Translated title of the contribution | 光電極及其製備方法 |
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Original language | English |
Patent number | I443847 |
Publication status | Published - 1800 |