Abstract
本發明是在提供一種可撓性基材圖案轉移製程，係利用導電薄膜層上成形一高分子阻劑層（抗阻層－RESIST）作為前驅板材，以具有導電圖案之模板壓印至高分子阻劑層（抗阻層－RESIST）而進行圖案轉移，之後再接著至可撓性基材上，再將可撓性基材、高分子阻劑層及導電薄膜層三層結構材料在與模板離形後進行蝕刻，最後去除殘餘高分子阻劑層（抗阻層－RESIST）即可在可撓性基材上得到轉移之導電圖案；如此，可避免在傳統熱壓導電圖案轉移製程中，直接加熱可撓性基材以軟化高分子阻劑層（抗阻層－RESIST）而導致可撓性基材受熱變形。
| Translated title of the contribution | 低溫可撓性基材圖案轉移製程 |
|---|---|
| Original language | English |
| Patent number | 193200 |
| Publication status | Published - 1800 |