Process for Producing Target

Wen-Shi Lee (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

本發明係為一種靶材的製造方法,其步驟包含:提供一Se壓餅、在一預設溫度下熱處理該Se粉末壓餅、濺鍍一導電薄膜層以附著該Se粉末壓餅、沉積一第一材料層以附著該導電薄膜層、沉積一第二材料層以附著該第一材料層、以及以一預設時間長度退火上述結構,以得到該靶材,該靶材具有CuInSe2材質,其中該導電薄膜層、該第一材料層和該第二材料層的任一的材料是Cu或In
Translated title of the contribution一種靶材製造方法
Original languageEnglish
Patent numberI413704
Publication statusPublished - 1800

Cite this

Lee, W-S. (1800). Process for Producing Target. (Patent No. I413704).