Roughening method and method for manufacturing light emitting diode having roughened surface

Shui-Jinn Wang (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

本發明係有關於一種磊晶結構層之新穎粗化方法,其包括:提供一磊晶結構層;以及使用能量密度為1000 mJ/cm2以下之準分子雷射,蝕刻該磊晶結構層之表面,以形成一粗化表面。此外,本發明更提供一種具粗化表面之發光二極體製備方法。據此,本發明可解決習知粗化方法複雜、費時且成本高昂之問題。
Translated title of the contribution粗化方法及具粗化表面之發光二極體製備方法
Original languageEnglish
Patent numberI422068
Publication statusPublished - 1800

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