Abstract
本發明係有關於一種磊晶結構層之新穎粗化方法，其包括：提供一磊晶結構層；以及使用能量密度為1000 mJ/cm2以下之準分子雷射，蝕刻該磊晶結構層之表面，以形成一粗化表面。此外，本發明更提供一種具粗化表面之發光二極體製備方法。據此，本發明可解決習知粗化方法複雜、費時且成本高昂之問題。
| Translated title of the contribution | 粗化方法及具粗化表面之發光二極體製備方法 |
|---|---|
| Original language | English |
| Patent number | I422068 |
| Publication status | Published - 1800 |