Abstract
一種氫氣感測器，包含一半導體基板、一形成於該半導體基板上的半導體緩衝層、一形成於該半導體緩衝層上的半導體薄膜層、一形成於該半導體薄膜層上部分區域的半導體歐姆接觸頂層、一形成於該半導體歐姆接觸頂層上部分區域且作為陰極電極的歐姆金屬接觸層，及一形成於該半導體薄膜層上之部分區域作為陽極電極的蕭特基金屬接觸層
| Translated title of the contribution | 氫氣感測器 |
|---|---|
| Original language | English |
| Patent number | 204262 |
| Publication status | Published - 1800 |