Abstract
本發明係有關於一種藉由化學氣相沉積法，於金屬基材上製備單晶體、單原子層石墨烯核種(nuclei)，由其成長形成具大長寬比分支之單晶體單原子層雪花型之石墨烯薄片及其製備方法，經由調控反應時氫氣與碳源氣體的通入量，可將雪花型石墨烯薄片之分支進一步的合併形成連續態之單晶體單原子層石墨烯薄膜，更進一步亦可由多數個雪花型石墨烯薄片合併而成一大面積之單原子層石墨烯薄膜。
| Translated title of the contribution | 雪花型石墨烯及其製備方法 |
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| Original language | English |
| Patent number | I466823 |
| Publication status | Published - 1800 |