SOLAR CELL DEVICE

Chie Gau (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

一種太陽能電池元件,其包含一P型非晶矽層、一N型微晶矽層、一N型單晶矽層、一本質非晶矽層以及一本質微晶矽層。N型單晶矽層設置於P型非晶矽層與N型微晶矽層之間。本質非晶矽層設置於N型單晶矽層與P型非晶矽層之間。本質微晶矽層設置於N型單晶矽層與N型微晶矽層之間。相較於非矽晶層及微晶矽層,N型單晶矽層可以產生較大的光電流,在其外部加上非晶矽可以提升開路電壓,微晶矽的使用可以減少非晶矽和單晶矽間的能障,進而提升電池轉換效率。此外,相較於非晶矽層,微晶矽層具有較佳之光照衰退抵抗能力,而提升元件效能。
Original languageEnglish
Patent numberI415281
Publication statusPublished - 1800

Cite this

Gau, C. (1800). SOLAR CELL DEVICE. (Patent No. I415281).
Gau, Chie (Inventor). / SOLAR CELL DEVICE. Patent No.: I415281.
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Gau, C 1800, SOLAR CELL DEVICE, Patent No. I415281.

SOLAR CELL DEVICE. / Gau, Chie (Inventor).

Patent No.: I415281.

Research output: Patent

TY - PAT

T1 - SOLAR CELL DEVICE

AU - Gau, Chie

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 一種太陽能電池元件,其包含一P型非晶矽層、一N型微晶矽層、一N型單晶矽層、一本質非晶矽層以及一本質微晶矽層。N型單晶矽層設置於P型非晶矽層與N型微晶矽層之間。本質非晶矽層設置於N型單晶矽層與P型非晶矽層之間。本質微晶矽層設置於N型單晶矽層與N型微晶矽層之間。相較於非矽晶層及微晶矽層,N型單晶矽層可以產生較大的光電流,在其外部加上非晶矽可以提升開路電壓,微晶矽的使用可以減少非晶矽和單晶矽間的能障,進而提升電池轉換效率。此外,相較於非晶矽層,微晶矽層具有較佳之光照衰退抵抗能力,而提升元件效能。

AB - 一種太陽能電池元件,其包含一P型非晶矽層、一N型微晶矽層、一N型單晶矽層、一本質非晶矽層以及一本質微晶矽層。N型單晶矽層設置於P型非晶矽層與N型微晶矽層之間。本質非晶矽層設置於N型單晶矽層與P型非晶矽層之間。本質微晶矽層設置於N型單晶矽層與N型微晶矽層之間。相較於非矽晶層及微晶矽層,N型單晶矽層可以產生較大的光電流,在其外部加上非晶矽可以提升開路電壓,微晶矽的使用可以減少非晶矽和單晶矽間的能障,進而提升電池轉換效率。此外,相較於非晶矽層,微晶矽層具有較佳之光照衰退抵抗能力,而提升元件效能。

M3 - Patent

M1 - I415281

ER -

Gau C, inventor. SOLAR CELL DEVICE. I415281. 1800.