Surface plasmon enhanced light-emitting diode

Chuan-Pu Liu (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

一種可受表面電漿子強化之發光二極體,包含:一基板、由鄰近而遠離該基板而設置的一個n型半導體層、一發光層與一個p型半導體層,以及數個位於p型半導體層內的金屬填充體,所述p型半導體層包括一鄰近該發光層的第一面、一與該第一面反向間隔的第二面,以及多數個由該第二面朝該第一面凹設的孔洞,所述金屬填充體各別位於該等孔洞內,並產生表面電漿而與該發光層發出的光耦合。本發明之金屬填充體的形成不會影響到下方膜層,使本發明具有膜層磊晶品質佳、降低發光面積被遮擋的比例,以及提升發光效率等功效。
Original languageEnglish
Patent numberI433351
Publication statusPublished - 1800

Cite this

@misc{ec165505921141a8bce1e65029d9b1e3,
title = "Surface plasmon enhanced light-emitting diode",
abstract = "一種可受表面電漿子強化之發光二極體,包含:一基板、由鄰近而遠離該基板而設置的一個n型半導體層、一發光層與一個p型半導體層,以及數個位於p型半導體層內的金屬填充體,所述p型半導體層包括一鄰近該發光層的第一面、一與該第一面反向間隔的第二面,以及多數個由該第二面朝該第一面凹設的孔洞,所述金屬填充體各別位於該等孔洞內,並產生表面電漿而與該發光層發出的光耦合。本發明之金屬填充體的形成不會影響到下方膜層,使本發明具有膜層磊晶品質佳、降低發光面積被遮擋的比例,以及提升發光效率等功效。",
author = "Chuan-Pu Liu",
year = "1800",
language = "English",
type = "Patent",
note = "I433351",

}

Surface plasmon enhanced light-emitting diode. / Liu, Chuan-Pu (Inventor).

Patent No.: I433351.

Research output: Patent

TY - PAT

T1 - Surface plasmon enhanced light-emitting diode

AU - Liu, Chuan-Pu

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 一種可受表面電漿子強化之發光二極體,包含:一基板、由鄰近而遠離該基板而設置的一個n型半導體層、一發光層與一個p型半導體層,以及數個位於p型半導體層內的金屬填充體,所述p型半導體層包括一鄰近該發光層的第一面、一與該第一面反向間隔的第二面,以及多數個由該第二面朝該第一面凹設的孔洞,所述金屬填充體各別位於該等孔洞內,並產生表面電漿而與該發光層發出的光耦合。本發明之金屬填充體的形成不會影響到下方膜層,使本發明具有膜層磊晶品質佳、降低發光面積被遮擋的比例,以及提升發光效率等功效。

AB - 一種可受表面電漿子強化之發光二極體,包含:一基板、由鄰近而遠離該基板而設置的一個n型半導體層、一發光層與一個p型半導體層,以及數個位於p型半導體層內的金屬填充體,所述p型半導體層包括一鄰近該發光層的第一面、一與該第一面反向間隔的第二面,以及多數個由該第二面朝該第一面凹設的孔洞,所述金屬填充體各別位於該等孔洞內,並產生表面電漿而與該發光層發出的光耦合。本發明之金屬填充體的形成不會影響到下方膜層,使本發明具有膜層磊晶品質佳、降低發光面積被遮擋的比例,以及提升發光效率等功效。

M3 - Patent

M1 - I433351

ER -