Target precursor structure

Wen-Shi Lee (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

本發明係為一種靶材先驅層結構包含:一Se壓餅、一導電薄膜層附著該Se壓餅、一第一材料層附著該導電薄膜層、一第二材料層附著該第一材料層,以形成該靶材先驅層結構,其中該導電薄膜層、該第一材料層和該第二材料層之任一的材料是Cu或In,該導電薄膜層和該第一材料層的材料可為相同或不相同,而該第一材料層和該第二材料層的材料則不相同。此外,該導電薄膜層的厚度係在50nm~100nm之間。
Translated title of the contribution一種靶材先驅層結構
Original languageEnglish
Patent numberI410510
Publication statusPublished - 1800

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