TRANSDUCER

Yung-Chun Lee (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

一種聲波換能器,至少包括:一電磁屏蔽,其內部具有電磁屏蔽空間;一多層壓電膜結構設於電磁屏蔽之底面中且位於電磁屏蔽空間內,其中此多層壓電膜結構至少包括至少二壓電膜,其中之第一壓電膜與第二壓電膜均至少包括心線電極、接地電極及夾設在心線電極與接地電極之間之壓電層,而二壓電膜之心線電極不互相接觸;及一絕緣層設於第一壓電膜與第二壓電膜之間;一激發端接頭設於電磁屏蔽之室壁中;一接收端接頭設於電磁屏蔽之室壁中;以及二訊號線分別接合在激發端接頭與第一壓電膜之心線電極之間及接收端接頭與第二壓電膜之心線電極之間。
Original languageEnglish
Patent numberI322043
Publication statusPublished - 1800

Cite this

Lee, Y-C. (1800). TRANSDUCER. (Patent No. I322043).
Lee, Yung-Chun (Inventor). / TRANSDUCER. Patent No.: I322043.
@misc{2780a5b64ae34cb38f9d9eaa8a8bea87,
title = "TRANSDUCER",
abstract = "一種聲波換能器,至少包括:一電磁屏蔽,其內部具有電磁屏蔽空間;一多層壓電膜結構設於電磁屏蔽之底面中且位於電磁屏蔽空間內,其中此多層壓電膜結構至少包括至少二壓電膜,其中之第一壓電膜與第二壓電膜均至少包括心線電極、接地電極及夾設在心線電極與接地電極之間之壓電層,而二壓電膜之心線電極不互相接觸;及一絕緣層設於第一壓電膜與第二壓電膜之間;一激發端接頭設於電磁屏蔽之室壁中;一接收端接頭設於電磁屏蔽之室壁中;以及二訊號線分別接合在激發端接頭與第一壓電膜之心線電極之間及接收端接頭與第二壓電膜之心線電極之間。",
author = "Yung-Chun Lee",
year = "1800",
language = "English",
type = "Patent",
note = "I322043",

}

Lee, Y-C 1800, TRANSDUCER, Patent No. I322043.

TRANSDUCER. / Lee, Yung-Chun (Inventor).

Patent No.: I322043.

Research output: Patent

TY - PAT

T1 - TRANSDUCER

AU - Lee, Yung-Chun

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 一種聲波換能器,至少包括:一電磁屏蔽,其內部具有電磁屏蔽空間;一多層壓電膜結構設於電磁屏蔽之底面中且位於電磁屏蔽空間內,其中此多層壓電膜結構至少包括至少二壓電膜,其中之第一壓電膜與第二壓電膜均至少包括心線電極、接地電極及夾設在心線電極與接地電極之間之壓電層,而二壓電膜之心線電極不互相接觸;及一絕緣層設於第一壓電膜與第二壓電膜之間;一激發端接頭設於電磁屏蔽之室壁中;一接收端接頭設於電磁屏蔽之室壁中;以及二訊號線分別接合在激發端接頭與第一壓電膜之心線電極之間及接收端接頭與第二壓電膜之心線電極之間。

AB - 一種聲波換能器,至少包括:一電磁屏蔽,其內部具有電磁屏蔽空間;一多層壓電膜結構設於電磁屏蔽之底面中且位於電磁屏蔽空間內,其中此多層壓電膜結構至少包括至少二壓電膜,其中之第一壓電膜與第二壓電膜均至少包括心線電極、接地電極及夾設在心線電極與接地電極之間之壓電層,而二壓電膜之心線電極不互相接觸;及一絕緣層設於第一壓電膜與第二壓電膜之間;一激發端接頭設於電磁屏蔽之室壁中;一接收端接頭設於電磁屏蔽之室壁中;以及二訊號線分別接合在激發端接頭與第一壓電膜之心線電極之間及接收端接頭與第二壓電膜之心線電極之間。

M3 - Patent

M1 - I322043

ER -

Lee Y-C, inventor. TRANSDUCER. I322043. 1800.