Abstract
本發明係有關於一種釔鋁石榴石螢光材料、其製作方法、及包含其之發光二極體裝置，其中釔鋁石榴石螢光材料，係如下式(I)所示：
(Y3-aMa)Al5-bSibO12 (I)
其中，0.01 a 0.2，0 <b 1.2，且M係至少一選自由鈰(Ce)、鏑(Dy)、釓(Gd)、銪(Eu)、鋱(Tb)、鑭(La)、鐠(Pr)、釹(Nd)、及釤(Sm)所組成之群組。
| Original language | English |
|---|---|
| Patent number | I437077 |
| Publication status | Published - 1800 |
Cite this
Chen, I-G. (1800). Yttrium aluminum garnet phosphor, method for preparing the same, and light-emitting diode containing the same. (Patent No. I437077).
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title = "Yttrium aluminum garnet phosphor, method for preparing the same, and light-emitting diode containing the same",
abstract = "本發明係有關於一種釔鋁石榴石螢光材料、其製作方法、及包含其之發光二極體裝置，其中釔鋁石榴石螢光材料，係如下式(I)所示： (Y3-aMa)Al5-bSibO12 (I) 其中，0.01 a 0.2，0 <b 1.2，且M係至少一選自由鈰(Ce)、鏑(Dy)、釓(Gd)、銪(Eu)、鋱(Tb)、鑭(La)、鐠(Pr)、釹(Nd)、及釤(Sm)所組成之群組。",
author = "In-Gann Chen",
year = "1800",
language = "English",
type = "Patent",
note = "I437077",
}
Yttrium aluminum garnet phosphor, method for preparing the same, and light-emitting diode containing the same. / Chen, In-Gann (Inventor).
Patent No.: I437077.Research output: Patent
TY - PAT
T1 - Yttrium aluminum garnet phosphor, method for preparing the same, and light-emitting diode containing the same
AU - Chen, In-Gann
PY - 1800
Y1 - 1800
N2 - 本發明係有關於一種釔鋁石榴石螢光材料、其製作方法、及包含其之發光二極體裝置，其中釔鋁石榴石螢光材料，係如下式(I)所示： (Y3-aMa)Al5-bSibO12 (I) 其中，0.01 a 0.2，0 <b 1.2，且M係至少一選自由鈰(Ce)、鏑(Dy)、釓(Gd)、銪(Eu)、鋱(Tb)、鑭(La)、鐠(Pr)、釹(Nd)、及釤(Sm)所組成之群組。
AB - 本發明係有關於一種釔鋁石榴石螢光材料、其製作方法、及包含其之發光二極體裝置，其中釔鋁石榴石螢光材料，係如下式(I)所示： (Y3-aMa)Al5-bSibO12 (I) 其中，0.01 a 0.2，0 <b 1.2，且M係至少一選自由鈰(Ce)、鏑(Dy)、釓(Gd)、銪(Eu)、鋱(Tb)、鑭(La)、鐠(Pr)、釹(Nd)、及釤(Sm)所組成之群組。
M3 - Patent
M1 - I437077
ER -