Yttrium aluminum garnet phosphor, method for preparing the same, and light-emitting diode containing the same

In-Gann Chen (Inventor)

Research output: Patent

Abstract

本發明係有關於一種釔鋁石榴石螢光材料、其製作方法、及包含其之發光二極體裝置,其中釔鋁石榴石螢光材料,係如下式(I)所示: (Y3-aMa)Al5-bSibO12 (I) 其中,0.01  a  0.2,0 <b  1.2,且M係至少一選自由鈰(Ce)、鏑(Dy)、釓(Gd)、銪(Eu)、鋱(Tb)、鑭(La)、鐠(Pr)、釹(Nd)、及釤(Sm)所組成之群組。
Original languageEnglish
Patent numberI437077
Publication statusPublished - 1800

Cite this

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title = "Yttrium aluminum garnet phosphor, method for preparing the same, and light-emitting diode containing the same",
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author = "In-Gann Chen",
year = "1800",
language = "English",
type = "Patent",
note = "I437077",

}

TY - PAT

T1 - Yttrium aluminum garnet phosphor, method for preparing the same, and light-emitting diode containing the same

AU - Chen, In-Gann

PY - 1800

Y1 - 1800

N2 - 本發明係有關於一種釔鋁石榴石螢光材料、其製作方法、及包含其之發光二極體裝置,其中釔鋁石榴石螢光材料,係如下式(I)所示: (Y3-aMa)Al5-bSibO12 (I) 其中,0.01  a  0.2,0 <b  1.2,且M係至少一選自由鈰(Ce)、鏑(Dy)、釓(Gd)、銪(Eu)、鋱(Tb)、鑭(La)、鐠(Pr)、釹(Nd)、及釤(Sm)所組成之群組。

AB - 本發明係有關於一種釔鋁石榴石螢光材料、其製作方法、及包含其之發光二極體裝置,其中釔鋁石榴石螢光材料,係如下式(I)所示: (Y3-aMa)Al5-bSibO12 (I) 其中,0.01  a  0.2,0 <b  1.2,且M係至少一選自由鈰(Ce)、鏑(Dy)、釓(Gd)、銪(Eu)、鋱(Tb)、鑭(La)、鐠(Pr)、釹(Nd)、及釤(Sm)所組成之群組。

M3 - Patent

M1 - I437077

ER -