三乙醇胺錯合劑促助電沉積二硒化銀銦與銀銅銦硒薄膜

Translated title of the thesis: Facilitated electrodepositon of AgInSe2 and (Ag Cu)InSe2 thin films by triethanolamine complexing agent
  • 賴 韋伶

Student thesis: Master's Thesis

Abstract

本研究利用電沉積法，以三乙醇胺(Triethanolamine，TEA)錯合劑，成?製備出二硒化銀銦(AgInSe2)與銀銅銦硒((Ag Cu)InSe2)化合物。實驗變因包含：電沉積的電位與時間、TEA濃度、pH值、銀離子與銅離子濃度、退火溫度。研究中第一部分為沉積二硒化銀銦(AgInSe2)，探討不同銀離子下所得到的產物組成。在低還原電位下，易形成Ag2Se二元相化合物，隨著電壓提高至-1 0 V，AgInSe2薄膜主要優選方向為(112)面方向，與XRD結果相一致。SEM觀察表面形貌，低還原電位下薄膜呈現圓球狀，高還原電位下薄膜表面分布均勻成樹枝狀。最後利用紫外光/可見光/近紅外光光譜儀進行光學性質分析，得到退火後的AgInSe2具有高光學係數(104 cm-1以上)。結果顯示，電沉積最佳化條件：7 mM AgNO3 + 10 mM In2(SO4)3．9H2O + 40 mM SeO2 + 0 2 M TEA，沉積時間20 min，退火溫度280 °C，薄膜能隙值1 23 eV。 研究中第二部分為銀銅銦硒(Ag Cu)InSe2化合物的沉積，調整改變[Cu]/[Ag]比例得到所想要的組成，加入銅原子取代原有銀原子佔有位後，XRD分析中AgInSe2的(112)面繞射峰消失，反而出現CuInSe2的(112)面繞射峰，隨著CuSO4．5H2O濃度的增加及還原電壓的提升，繞射峰強度明顯增強，同時薄膜形貌分析上，更趨近於花椰菜結構。(Ag Cu)InSe2的吸收係數與能隙值小於AgInSe2。
Date of Award2015 Jul 27
Original languageChinese
SupervisorThou-Jen Whang (Supervisor)

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