雷射鑽孔技術挾其高精度、高加工品質之優勢，在矽通孔(Through-Silicon-Via TSV)領域上逐漸嶄露頭角；其中又以飛秒雷射對材料周遭結構破壞小、熱影響區域小，使其最具潛力。然而影響通孔品質之研究卻尚止於逐因的定性比較，因此本研究欲以實驗設計方法，通盤考量影響通孔品質之可能因素，探討其顯著性與作用關係，再建立因子對通孔品質影響的回歸模型，並找出最佳因子組合以提升通孔品質或降低能耗成本。本研究成?以分子動力學法模擬飛秒雷射用以加工矽通孔，達到減少實驗成本之目的，並採用真圓度作為量化飛秒雷射矽通孔品質之指標，並細分為入口、出口與孔內真圓度。 透過兩階段實驗設計法規畫實驗，先以部分因子設計篩選出對通孔真圓度具顯著影響的因子，再用完全因子設計分析顯著因子之主要與交互作用，及其貢獻度；並以正向分析Yates運算法建立顯著因子對各孔洞真圓度影響的回歸模型。而計算得回歸模型之配適度均在95%以上，說明各回歸模型皆能高度反映實驗結果。 另外，本研究透過調控貢獻度，以逆向Yates運算對孔洞真圓度進行優化，考慮到業界多元的設計需求，提供兩種優化策略：(1) 依給定真圓度求最低能耗；(2)依指定能耗作最佳真圓度。成?地在指定設計需求下，求出各個真圓度在兩種優化策略中的最佳因子組合。
以實驗設計法提升飛秒雷射矽通孔之孔洞真圓度
泉泰, 陳. (Author). 2014 Sept 3
Student thesis: Master's Thesis