在鐵電材料中,鐵酸鉍(BiFeO3,BFO)是同時在室溫下具有鐵電性和反鐵磁性的材料,具有做成元件的潛力。但BFO仍有漏電流問題需克服,故本研究目的是想找導電的氧化物材料來當底電極層,期望克服此問題,並討論兩種材料製作過程所遇到的問題及薄膜特性。 本研究企圖在SrTiO3 (STO)基板上成長Nd1 85Ce0 15CuO4+y (NCCO)氧化物磊晶薄膜,當作底電極,在其上成長多鐵性BiFeO3 (BFO)薄膜。NCCO單層膜以及BFO/NCCO/STO多層結構,均以射頻磁控濺鍍製備,所用之NCCO和BFO靶材則籍由固態反應燒結而成。為達到磊晶成長之目的,我們嘗試了多種濺鍍參數,并進行後續退火處理。成長於(001)STO基板上之NCCO單層膜雖有明顯的(001)擇優取向,但其中仍有少?的(110)取向,而NCCO的(110)晶粒由於晶格匹配的關係,在隨後的BFO成長中會誘導二次相Bi24Fe2O39的生成,導致BFO薄膜成長失去控制,無法形成磊晶。在電性方面,霍爾量測證實所成長之NCCO薄膜有很高的導電率,足以作?電極。
Date of Award | 2015 Aug 27 |
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Original language | Chinese |
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Supervisor | Xiao-Ding Qi (Supervisor) |
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以射頻磁控濺鍍製備釹鈰銅氧氧化物和鐵酸鉍之薄膜特性
秉樺, 李. (Author). 2015 Aug 27
Student thesis: Master's Thesis