以氧電漿處理改善氧化銦鎵鋅薄膜電晶體之源極接面缺陷及其電性之研究

Translated title of the thesis: Improving Source Defect and Electronic Properties of InGaZnO Thin-Film Transistors Using O2 Plasma Treatment
  • 呂 冠宏

Student thesis: Master's Thesis

Abstract

本論文主要探討源極與氧化銦鎵鋅通道層之表面態位密度於氧化銦鎵鋅薄膜電晶體特性之影響，並提出使用氧電漿處理改善源極與氧化銦鎵鋅通道層缺陷的方法。習知改善表面缺陷的各項製程中，尤以高溫退火最為廣泛使用，但缺點為較高溫的製程並不適用於可撓式基板，且其全面性的熱處理及較高的thermal-budget 皆可能使得元件特性劣化。 使用氧電漿製程處理氧化銦鎵鋅薄膜電晶體之源極接面，以改善此接面之表面態位密度，實驗結果發現，於氧電漿處理時間及製程?率分別為30秒與100 W，可得最佳的元件特性，其關閉電流與次臨界?幅分別改善至4 13×10-5 A與0 119 V/dec。 本論文成?於室溫環境下，利用氧電漿處理製程提升氧化銦鎵鋅薄膜電晶體之特性，於關閉電流、次臨限?幅與電流開關比皆有明顯改善。此氧電漿處理製程，具有簡單、大面積、快速及低溫製程之優點，除可應用於玻璃基板及軟性基板上，亦可使用於大尺寸之面板，於未來顯示技術(AMLCD或AMOLED)與軟性電子產品的應用深具研究與發展潛?。
Date of Award2016 Aug 18
Original languageChinese
SupervisorShui-Jinn Wang (Supervisor)

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