以角分辨光電子能譜和電性分析超薄(Bi[1-x]Sb[x])2Se3物理性質

Translated title of the thesis: Angle-resolved photoemission spectroscopy and transport studies on ultrathin (Bi[1-x]Sb[x])2Se3
  • 李 昀鴻

Student thesis: Master's Thesis

Abstract

最近拓樸絕緣體的一個議題是如何改變拓樸的狀態,可以藉由參雜的成分或是場效元件來達成。本實驗先藉由成長?(?Bi?_(1-x) ?Sb?_x)?_2 ?Se?_3高比例的成分在sapphire(0001)上面,在確認晶格結構沒問題後,我們針對接近拓樸態轉換Sb成分的樣品做電性上和ARPES的分析。我們確認高Sb參雜比例和改變厚度即便是增加樣品的電阻值使樣品更接近絕緣的狀態,其在低溫下的磁導表現仍然保有拓樸的行為,更進一步我們調查和觀察到參雜Sb雖然降低樣品的自旋軌道藕荷行為,卻不會改變樣品的bulk band gap。最後我雖然在材料上我們無法改變樣品的狀態,我們成長薄膜在SrTiO3基板上,最後使用場效的方式使樣品的拓樸金屬態更皆近強局籲的絕緣態。
Date of Award2017 Aug 18
Original languageChinese
SupervisorJung-Chun Huang (Supervisor)

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以角分辨光電子能譜和電性分析超薄(Bi[1-x]Sb[x])2Se3物理性質
昀鴻, 李. (Author). 2017 Aug 18

Student thesis: Master's Thesis