本實驗以電沉積方式,在含氯化物的水溶液中添加三乙醇胺(Triethanolamine,TEA)作為錯合劑,將二硒化銅鋁 (CuAlSe2,CAS)、以及銅銦鋁硒 (Cu(In Al)Se2,CIAS)電沉積於ITO玻璃基板上。實驗變因包含:各個離子組成濃度、鍛燒溫度與時間、TEA濃度、電沉積電位、電沉積時間,其中鍍製二硒化銅鋁薄膜最佳條件為 5mM CuCl2 +30 mM AlCl3 + 22 mM SeO2 + 0 2 M TEA,在pH=2 50下鍛燒300 °C/1 0 hr。 不同沉積電位會影響實驗的電流密度、粒徑大小、膜厚、能隙。薄膜的晶格結構、組成比例、表面形貌,分別利用X光粉末繞射儀、能量分散式光譜儀、掃描式電子顯微鏡來進行分析。在X光粉末繞射儀分析上,薄膜特徵峰值強度會隨上述變因而有些微不同,而從能量分散式光譜儀發現薄膜中Se原子比例的偏低會導致利用公式計算出來的能隙有降低的趨勢。 薄膜的光學性質上,利用紫外光/可見光/近紅外光光譜儀來進行分析,利用測量穿透度、折射度然後經過公式計算出來的吸收係數也不相同。整體上薄膜吸收係數皆達到104 cm-1,表示薄膜具很強的吸收太陽光的特性是良好的吸收材料。
Date of Award | 2014 Jul 21 |
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Original language | Chinese |
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Supervisor | Thou-Jen Whang (Supervisor) |
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使用三乙醇胺作為錯合劑電沉積二硒化銅鋁、銅銦鋁硒薄膜之研究
建廷, 陳. (Author). 2014 Jul 21
Student thesis: Master's Thesis