本?文主要探討以鎳?薄膜退火氧化後作為透明導電層與電?傳輸層,並濺鍍氧化鋅作為電子傳輸層,應用於鈣鈦礦系?太陽能電池之研究。 首先蒸鍍不同金薄膜厚度並改變鎳金薄膜退火??,探究其穿透?、?函?以及材料之電阻值,並輔以SEM圖來佐證不同鎳?薄膜厚度與退火溫度的影響。 使用甲基銨碘化鉛(methylammonium lead iodide)製備平板鈣鈦礦結構的主動層,透過元件的製作了解不同金薄膜厚度與退火??對太陽能元件所產生的影響以及物理意義。 此外,我們試圖濺鍍氧化鋅於鈣鈦礦薄膜上,致力於製造p型與n型材料全無機的結構,使鈣鈦礦太陽能元件在大氣中獲得穩定且持久的效率。然而在濺鍍氧化鋅於鈣鈦礦薄膜上時,會造成結構上的傷害,此時覆?一層C60作為阻擋層可以避免效率值的流失,然而C60的厚度扮演著關鍵的角色,過少將無法有效阻擋損傷的發生,而過多則導致元件效率寄生電阻的增加。最後將兩者結合,進而探究不同載子傳輸層對元件各個光電特性??之趨勢。
Date of Award | 2015 Aug 19 |
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Original language | Chinese |
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Supervisor | Wei-Chi Lai (Supervisor) |
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具透明金屬電極之平板鈣鈦礦太陽能電池
淵霆, 王. (Author). 2015 Aug 19
Student thesis: Master's Thesis