利用低氮電漿流量改進電漿輔助式分子束磊晶成長之氮化硼薄膜品質

Translated title of the thesis: Improved quality of BN thin film by plasma-assisted molecular beam epitaxy using low N-plasma flux
  • 詹 智傑

Student thesis: Master's Thesis

Abstract

本論文透過交替生長法利用氮氣電漿在矽基板上形成β-Si3N4薄膜，最後使用高溫硼蒸氣與β-Si3N4最頂層的氮原子發生反應形成一層極薄的h-BN，在RHHED的螢光幕上觀察到與h-BN晶格常數比例相符合的繞射條紋，在隨後光電子能譜的量測中得來自h-BN的B 1s殼層的光電子，其束縛能為191 03ev，在拉曼光譜量測中，無法觀測到h-BN E2g的振動模態， 因此我們推測極薄的h-BN與下方β-Si3N4有強烈共價鍵彼此連結。 由於交替成長法無法在h-BN緩衝層形成後繼續增厚，僅能在β-Si3N4介面處生成h-BN，所以我們使用氮氣電漿與硼蒸鍍源同時開啟的作法，希望能在緩衝層形成後繼續磊晶h-BN薄膜，藉由同時生長法在矽基板上成長出厚度為88nm以上多晶h-BN薄膜，我們在拉曼光譜中明顯量測到代表h-BN E2g的振動模態峰值訊號，其峰值中心位置約為1366cm-1與h-BN塊材型態的峰值中心位置相符合。
Date of Award2017 Aug 30
Original languageChinese
SupervisorChung-Lin Wu (Supervisor)

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