利用電漿輔助式分子束磊晶系統成長氮化硼磊晶薄膜在矽基板上

Translated title of the thesis: Growth of hexagonal BN on Si substrate using Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy
  • 呂 文勝

Student thesis: Master's Thesis

Abstract

本論文使用電漿輔助式分子束磊晶在Si(111)基板上成長晶圓等級的六方氮化硼(h-BN)薄膜，並在成長過程中我們使用RHEED即時(in-situ)量測可觀測表面狀態。我們成長β-Si3N4做為成長h-BN的緩衝層(buffer layer)，可從RHEED觀察到β-Si3N4之8×8與 8?3×8?3重構線條，接著在上方曝入硼原子形成h-BN薄膜，此時 RHEED圖形轉變成h-BN線條。 本論文成長h-BN薄膜層數約3~4層，使用SEM與AFM觀察樣品表面發現有奈米顆粒沉積因為硼沉積太多導致，並使用RHEED與TEM cross section量測分析h-BN之armchair方向晶格長度分別為0 217nm與0 222nm，兩個誤差0 005nm並符合理論值。另外使用XRD與TEM cross section量測分析h-BN之c軸晶格長度分別為0 696±0 003nm與0 744nm兩者誤差0 045nm~0 051nm。另外h-BN薄膜之c軸晶格長度會比塊材h-BN 0 666nm大，可能因為h-BN與Si基板作用關係。
Date of Award2016 Aug 31
Original languageChinese
SupervisorChung-Lin Wu (Supervisor)

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