化學機械研磨銅銦鎵二硒薄膜之研究

Translated title of the thesis: A Study of Chemical Mechanical Polishing Process for CuInGaSe2 Thin Films
  • 闕 文峰

Student thesis: Master's Thesis

Abstract

本論文使用新穎之化學機械研磨步驟，來改善銅銦鎵二硒 (CuInGaSe2，簡稱CIGS) 吸收層薄膜的表面粗糙度及平坦度，藉此可以使後序之硫化鋅薄膜更均勻及幫助有效pn介面之形成，因此有機會提升薄膜型太陽能電池元件的光電轉換效率。 研磨之CIGS薄膜製作:首先將銅銦鎵先驅物濺鍍於鍍有鉬背電極之含鈉玻璃基板，經高溫硒化後形成CIGS吸收層薄膜。研磨實驗過程中發現；研磨液中溴水濃度、轉速、研磨時的下壓力，皆會影響薄膜的表面粗糙度及平坦度。本實驗再輔以掃瞄式電子顯微鏡 (SEM)、X光繞射分析儀 (XRD)、Zygo白光干涉儀 (White Light Interferometers) 等儀器，對薄膜之表面形貌、組成成份、晶體結構與薄膜粗糙度及厚度進行分析；藉此數據來瞭解化學機械研磨後，CIGS薄膜粗糙度及平坦度的改善。
Date of Award2014 Jan 17
Original languageChinese
SupervisorDung-Ching Perng (Supervisor)

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