化學氣相沉積法成長單晶矽化錳奈米線之特性研究

Translated title of the thesis: Growth and Characterization of Single-Crystalline MnSi Nanowires by Chemical Vapor Deposition
  • 蔡 秉宸

Student thesis: Master's Thesis

Abstract

本論文是使用無水氯化錳(anhydrous MnCl2)粉末做為前驅物,利用化學氣相沉積(CVD)法在矽(001)基板上合成矽化錳(MnSi)奈米線,並且研究MnSi奈米線在不同的反應溫度、持溫時間、氣體流量、生長壓力、工作氣氛等製程參數下之變化;接著進行兩步驟的製程改良以便獲得更高生長密度的MnSi奈米線。為了確認MnSi奈米線的晶體結構以及成份,故利用穿透式電子顯微鏡暨能量散佈光譜儀進行分析,相鑑定後確定為cubic B20-type MnSi;接續統整製程變因之影響並推論MnSi奈米線可能之成長機制,由於奈米線的生成與否主要跟前驅物濃度之過飽和度密切相關,故推測奈米線之成長機制應屬於氣相-固相(Vapor-Solid VS)成長機制。 本研究亦分別對生成之MnSi奈米線進行磁性質與場發射性質之量測分析。磁性質量測的結果顯示,在低溫時的矯頑磁場與飽和磁化量分別為95 Oe與145 ×?10?^(-6) emu,具有弱鐵磁性材料之特性;場發射量測的結果顯示,起始電場為3 49 V/μm、場發射增強因子為3365,具有相當不錯之場發射特性。
Date of Award2015 Aug 31
Original languageChinese
SupervisorKuo-Chang Lu (Supervisor)

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