本實驗研究以小分子PTCDI-CnH2n-1為主動層的N型軟性有機薄膜電晶體的穩定性測試,藉由線性移動式平台將元件控制在r = -40、-20、-10 mm及r = +40、+20、+10 mm下由0次撓曲至10000次,並在過程中量測元件的輸出電流特性曲線、轉換特性曲線及元件MISM與MIM架構的電容電壓量測。在實驗分析方面,利用雙束型聚焦離子束儀掃描式電子顯微鏡觀察撓曲5000次後元件的界面是否有剝落的情況,並利用光激發螢光光譜分析PTCDI層撓曲前後的差異。 元件以r = -40、-20、-10 mm及r = +40、+20、+10 mm撓曲由0至10000次的過程中,元件的飽和電流值會隨著撓曲次數的上升而下降,且元件的臨界電壓值也會上升,此外隨著曲率半徑的減少飽和電流值下降與臨界電壓值上升的幅度更為劇烈。在電容電壓量測方面,元件MISM架構的電容值會隨著不斷的撓曲而下降,且介面開始累積電荷的電壓值(On Set Voltage)也隨著上升,此意味半導體層內與介面的缺陷隨著撓曲次數的增加而上升,而MIM架構電容值並不隨撓曲曲率與次數所影響。由掃描式電子顯微鏡拍攝到撓曲過後的元件僅在源極與汲極部份的PTCDI與C-PVP剝離產生空氣隙,此PTCDI與C-PVP剝離產生空氣隙的現象多發生在撓曲的曲率半徑為正值時,且PTCDI的光激發螢光光譜並不隨著撓曲的半徑與次數而改變。
Date of Award | 2015 Sept 4 |
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Original language | Chinese |
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Supervisor | Wei-Yang Chou (Supervisor) |
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十三烷基駢本衍生物軟性薄膜電晶體之機械穩定性研究
志瑋, 王. (Author). 2015 Sept 4
Student thesis: Master's Thesis