半導金屬碲化物之熱電性質與電子結構

Translated title of the thesis: Thermoelectrics and Electronic Structure of a Semiconductive Metal Telluride
  • 李 旻育

Student thesis: Master's Thesis

Abstract

本論文利用固態反應法，在高溫650 ?C合成出一個具有新穎結構的金屬碲化物Ba3Ag3InTe6。其晶系及空間群為Orthorhombic Cmc21，單位晶格的a、b、c軸長分別為 a = 4 5669(3) ? b = 27 9366(16) ? c = 13 3819(8) ?。此化合物之結構是由AgTe4四面體以Te當作共用邊相互連結，形成皺褶層狀結構[Ag3Te4]5－。InTe4四面體以Te為共用角，懸掛在層狀結構[Ag3Te4]5－的兩側，形成鏈狀結構[InTe2]－。Ba2+為陽離子，填充在孔道中作為電荷平衡的角色。經由紫外光?可見光?近紅外光吸收光譜儀鑑定化合物的能隙大概落在0 48 eV。 熱電性質量測的結果顯示，此化合物是屬於P型半導體。在320?400 K溫度區間席貝克係數為325?334 μV/K。電導率和熱導率在400 K時分別為9 4 S/cm和0 35 W/mK， ZT值為0 11。 電子能帶結構計算指出此化合物是屬於直接能隙，其電洞傳遞和電子傳遞分別主要藉由AgTe4四面體所組成的層狀結構以及InTe4四面體所組成的鏈狀結構所主導。
Date of Award2017 Aug 8
Original languageChinese
SupervisorKuei-Fang Hsu (Supervisor)

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