多層富矽氧化物/二氧化矽發光二極體之研究

Abstract

　　本實驗使用濺鍍機製程，透過不同的氧氣流量作為參數，交互鍍製多層富矽氧化物/二氧化矽薄膜，進行三道黃光微影之後，即可完成多層富矽氧化物/二氧化矽發光二極體。 　　在多層富矽氧化物/二氧化矽薄膜當中進行光致發光的量測，可以發現光譜隨著氧氣流量的變化呈現奈米矽晶尺寸效應，在較高的激發能量下，更可以發現薄膜主要的發光來源為奈米矽晶或是輻射復合缺陷，包括E’δ center和NOV。另外，在不同的激發能量下，更是發現光譜的發光強度隨激發能量增加而下降的趨勢，以及奈米矽晶尺寸選擇效應。最後，經過鈍化的薄膜在發光強度上有大幅度的增加。 　　在多層富矽氧化物/二氧化矽發光二極體當中進行電致發光的量測，可以發現光譜隨著氧氣流量的變化而異，元件的發光來源非常多，包括奈米矽晶、NBOHC、E’δ center和NOV。在較強的電場激發下，甚至出現能帶填充效應，也可以發現奈米矽晶的第一激發態發光。另外，隨著氧氣流量的變化，可以發現奈米矽晶和輻射復合缺陷的貢獻發光有消長的趨勢。最後，隨著氧氣流量的不同，光致發光與電致發光的結果不一定一致。

Date of Award	2016 Jan 28
Original language	Chinese
Supervisor	Chuan-Feng Shih (Supervisor)