引腳型塑膠封裝元件外露式晶片座脫層之研究

Abstract

引腳型塑膠封裝（Lead Type Plastic Package LTPP）中，外露式晶片座，經過電解去膠製程所產生之電解效應（Electrolysis），可因氫離子（H+）與電子（e-）反應產生氫氣（H2），氫氣的膨脹會掀離銅導線架晶片座與高分子材料的接合面造成界面脫層。分離式地線區的外露晶片座主要目的在避免地線區域直接受應力、電解效應與脫層之影響。本文利用有限元素（FEM）電腦分析，對LTPP不同分離式地線區的外露晶片座結構設計，進行熱應力數值模擬，藉此改善目前地線區於晶片座邊緣四周的脫層。本文以高熱應力之晶片座設計配合實驗，驗證電解效應及不同去膠製程參數對界面脫層之影響，得到（1）電解去膠製程中所施予的電壓越大脫層發生的比例越高，反之電壓越低脫層發生的比例越低，但不論電解去膠電壓高或低，均會有電解效應之影響導致脫層；（2）無電壓化學去膠的組別中，並未有任何脫層的狀況；此發現可應用於所有外露式晶片座之脫層改善。

Date of Award	2014 Aug 28
Original language	Chinese
Supervisor	Jung-Hua Chou (Supervisor)