由於一般發光二極體有電?聚集在電極附近的問題，尤在發光面積較大之元件更加顯著，而大電?的注入亦會使電?聚集在電極附近的情況?明顯，並且造成電?分佈?均。本論文藉由將發光二極體微型化，希望達到改善電流擁擠效應的目的。然而由於微型化發光二極體側壁對發光面積之比值較大，會有較強烈的表面複合效應，故我們亦探討表面複合效應對微型化發光二極體的影響。再者，由於發光二極體的微型化會伴隨部分應力釋放，以及增進電流擴散效果，影響光電特性表現，我們亦對此特性進行探討。在微型化發光二極體顯示技術上，將微型化發光二極體以陣列結構排列，進而達到每個單一元件可獨立控制的目的。本論以共n型氮化鎵層為核心概念，並在陣列之n型氮化鎵區域兩側皆鍍上電極，探討經由不同側之n型電極進行量測，陣列上每一單一元件其光電特性表現。 本論文首先製做了5種不同大小方形發光區之藍光與紫外光發光二極體，其邊長分別為100μm、80μm、60μm、40μm、20μm，並與邊長為300μm之傳統發光二極體進行比較，綜合光電特性之結果，隨著發光區的縮小，微型化發光二極體相較於傳統發光二極體皆改善了電流擁擠效應。而微型化發光二極體其目的終為將之應用於全彩顯示系統當中，故我們開發了以共n型氮化鎵為核心概念的可編址微型化發光二極體，但經過了一系列的製程改良後，始終無法克服將p型氮化鎵層串接之金屬線斷裂的問題，於是我們轉往探討條狀式微型化發光二極體陣列，並且經由從不同側之n型電極進行量測，探討其光電特性之表現。然而經過量測，藍光與紫外光條狀式發光二極體陣列呈現相同之趨勢。在電特性的表現上，隨著離n型電極之距離越遠，其起始電壓值越高，串聯電阻亦越高，並且經由不同側之n型電極進行量測，其電特性會呈現對稱的趨勢；在光特性的表現上，其光輸出?率與發光波長不隨離n型電極之距離遠近而有顯著變化，而經由不同側之n型電極進行量測相同位置之元件其光輸出?率與發光波長亦是相同。
| Date of Award | 2017 Aug 30 |
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| Original language | Chinese |
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| Supervisor | Wei-Chi Lai (Supervisor) |
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微型化氮化鎵發光二極體光電特性之研究
乃軒, 鄭. (Author). 2017 Aug 30
Student thesis: Master's Thesis