應用田口方法改善半導體光罩之註記差

Translated title of the thesis: Semiconductor Mask Registration Improvement using Taguchi Method
  • 陳 昭吟

Student thesis: Master's Thesis

Abstract

為延續半導體製程的摩爾定律,製造出更小的電子元件,在製程上可透過微影技術 (Lithography),不斷的微縮積體電路的線寬,以提高每單位面積電晶體的密度。然而,半導體製程世代演進到40奈米以下,所衍生出的難題之一就是層對層之間的微影疊對(Overlay)不易控制,而微影製程中所使用到的光罩(Mask),也是影響微影疊對能力的關鍵因素之一。 光罩是半導體微影製程中不可或缺的模具,而光罩的註記差(Registration)大小,為影響微影疊對好壞的因子之一。本研究於現況分析得知,光罩於覆膜後的註記差平均會比覆膜前大了7 7nm,主要的貢獻來自於光罩覆膜後的平坦度改變(Flatness change),導致光罩註記差和覆膜前的實際量測值不一致。 本研究利用要因分析手法,找出可能造成平坦度改變的因子,再藉由田口方法(Taguchi Methods),找出這些因子的最佳參數組合改善覆膜前/後光罩註記差異。實驗結果證明穩健設定(Robust design)的參數,可將品質特性的平均值由原先的6 86nm降低至3 22nm ,成?的驗證此分析模式是可以降低覆膜前/後的光罩註記差,以提高微影對準的準確度。
Date of Award2014 Jul 16
Original languageChinese
SupervisorTaho Yang (Supervisor)

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