成長高品質低密度之n型氮化鎵微米柱用於光電元件

Abstract

因氮化鎵具有極佳之光電特性，已廣泛應用於各種光電元件之製作。本實驗室結合氮化鎵與奈米柱、微米柱結構之優勢，以自行開發之爐管型電漿輔助化學氣相沉積設備(plasma enhanced chemical vapor deposition)，成長氮化鎵奈米柱、微米柱。 因本實驗室先前之氮化鎵奈米柱元件發光效率不如預期，為了增加其材料特性，增加未來元件發光效率，本論文著重討論與解決可能造成發光效率不如預期之三大原因：奈米柱在成長時發生融合成長(merge)的現象、電子濃度不足、表面缺陷。 在探討如何避免奈米柱在成長時發生融合成長一文中，將會討論分別以控制反應物濃度，包含金屬鎵原子及氮離子以及控制基板溫度來抑制此現象，來降低氮化鎵奈米柱之密度並同時維持其晶體品質。 在探討如何增加電子濃度中，將會討論以不同濃度與不同流量之矽烷氣體通入系統來增加電子濃度，並詳細討論光致螢光光譜之改變。 最後將探討如何改變氮化鎵奈米柱之直徑，使其變為微米柱來抑制表面缺陷之問題。

Date of Award	2014 Aug 4
Original language	Chinese
Supervisor	Franklin Chau-Nan Hong (Supervisor)